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8 年
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私達の良質ICのシリコンの薄片は優秀なケイ素材料から成り、6インチ、4インチ、6インチおよび8インチSOIのウエファーで利用できる。これらのICのシリコンの薄片の表面は1からの10オームにあらゆる欠陥そして抵抗の範囲から自由である。さらに、これらのSOIのシリコンの薄片の表面の粒子密度はcm2およびゆがみごとの30がより少しより20umであるよりより少しである。私達のICのシリコンの薄片は半導体および集積回路の生産で広く利用されている。
| 特性 | 価値 |
|---|---|
| 平坦 | <50um> |
| 表面の終わり | SSP/DSP |
| テスト | はい |
| オリエンテーション | （100）、（110）、（111） |
| 抵抗 | 1~10ohm |
| サイズ | 1inch、2inch、3inch、4inch、6inch、8inch、12inch |
| 厚さ | 0.28/ 0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725 |
| 弓 | <10um> |
| 添加物 | Pタイプの/N-type |
| 材料 | ケイ素 |
| プロセス | LPCVDのSiO2コーティングの基質、PECVD SIO2のウエファー |
ZMSHのICのシリコンの薄片は極めて薄く、高性能表面が付いている高性能ウエファーである。それはICの半導体の製造業のために非常に適して、信頼できる基質を集積回路の製作に提供する。Silicon004モデルに0.28/0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725の厚さおよび最低順序量の25PCがある。ROHSの証明は利用でき、ひとつひとつのウエファーは10umよりより少しのTTVの価値の厳密な品質管理を経た。それはサイズ4inch、6inchおよび8inchおよび3つのオリエンテーション（100）で利用できる、（110）、（111）。表面はSiO2コーティングとカスタマイズすることができる。価格は場合によって行い、受渡し時間は30daysの内にある。支払の言葉はT/Tであり、供給の能力は2000PC/monthsである。
ZMSHのICのシリコンの薄片は極めて薄く、高性能表面とのICの半導体の製造業のための完全な選択、である。それは4inch、6inchおよび8inch SOIのウエファーのための理想的な基質であり、SiO2コーティングは信頼でき、耐久の表面を保障する。すべてのICのシリコンの薄片は10umよりより少しの欠陥そしてTTVの価値無しで厳しく、テストされる。これはICの半導体の製造業のための極めて薄い、高性能ウエファーを捜すだれでものための完全な選択である。