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LEDの塗布のために磨かれる2Inch Siの添加物GaAsのウエファーのガリウム砒素の基質の二重側面
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GaAsのウエファー
ガリウム砒素は原子比率1の金属ガリウムそしてsemi-metallicヒ素で構成される混合物である:1。それに灰色の金属光沢があり、結晶構造は閃亜鉛鉱のタイプである。ガリウム砒素は1926年には早くも総合された。その半導体の特性は1952年に確認された。装置はガリウム砒素材料の持っている統合された光電子工学の必要性を満たすことができるよい周波数応答、高速および高い実用温度を作った。それは現在最も重要な光電子工学材料であるが、ケイ素材料、の後のまた最も重要なマイクロエレクトロニック材料高周波の、高速装置および回路の製造のために適している。
| タイプ/添加物の导电类型/掺杂元素 | 半絶縁される | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| 適用应用 | マイクロEletronic | LED | 半導体レーザー | |
| 成長方法长晶方式 | VGF | |||
| 直径の直径 | 2"、3"、4"、6つ | |||
| オリエンテーションの晶向 | （100） ±0.5° | |||
| 厚さの厚度（µm） | 350-625um±25um | |||
| OF/IFの参考边 | 米国EJかノッチ | |||
| キャリア集中の载流子浓度 | - | （0.5-5） *1019 | （0.4-4） *1018 | （0.4-0.25） *1018 |
| 抵抗の电阻率（オームcm） | >107 | （1.2-9.9） *10-3 | （1.2-9.9） *10-3 | （1.2-9.9） *10-3 |
| 移動性の电子迁移率（cm2/V.S.） | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| 腐食ピッチ密度の位错密度（/cm2） | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTVの平整度[P/P] （µm） | <5> | |||
| TTVの平整度[P/E] （µm） | <10> | |||
| ゆがみの翘曲度（µm） | <10> | |||
| 表面の終了する表面加工 | P/E P/P E/E | |||
私達のZMKJについて
Q:MOQは何であるか。
（1）目録のための、MOQは5pcsである。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10pcs-30pcsである。
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