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HPSI 4H-SEMI透明な無色のカスタマイズされたsicレンズ高い純度
ZMSHはSiCのウエファーおよびエピタクシーを提供する:SiCのウエファーは優秀な性能の第三世代の広いbandgapの半導体材料である。それに広いbandgap、高い熱伝導性、高い故障の電界、高く本質的な温度、放射抵抗、よい化学安定性および高い電子飽和漂流率の利点がある。SiCのウエファーに大気および宇宙空間、柵の運輸、光起電発電、送電、新しいエネルギー車および他の分野で大きい適用見通しがまたあり、パワー エレクトロニクスの技術への革命的な変更を持って来る。Siの表面かCの表面は1つのウエファーの容器、以下100きれいな教室に窒素のガスによって詰まるepi準備ができた等級としてCMP各ウエファーあるである。
Epi準備ができたSiCのウエファーにNのタイプがあるまたはSemi-insulating、polytypeは異なった質等級の4Hまたは6H、Micropipe密度（MPD）である:自由、<5/cm2、<10/cm2、<30/cm2、<100/cm2利用できるサイズ2つ、3つ、4つおよび6つはである。SiCのエピタクシーに関して、ウエファーの厚さの均等性へのウエファー:均等性を添加するウエファーへの2%およびウエファー:4%はundoped、E15、E16、E18、E18/cm3のnのタイプから、利用できる集中を添加してあり、pのタイプepiの層は20/cm2の下に両方とも利用できるのepiの欠陥ある;すべての基質はepiの成長のための使用された生産の等級べきである;Nタイプのepiの層<20ミクロンはnタイプ、E18 cm3の0.5のμmの緩衝層に先行される;Nタイプのepi layers≥20ミクロンはnタイプ、E18の1-5 μmの緩衝層に先行される;Nタイプの添加はウエファー（17ポイント）を渡る平均値としてHgの調査CVを使用して定められる;厚さはウエファー（9ポイント）を渡る平均値としてFTIRを使用して定められる。
Sicのウエファー及びインゴット2-6inchおよび他のカスタマイズされたサイズ また提供することができる。
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