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2inch HVPE方法ガリウム窒化物のGaNのウエファー、LEDのapplicaionのための地位のGaNの自由な基質、10x10mmのサイズのGaNの破片、HVPE GaNのウエファー
GaNの特徴について導入しなさい
高速の、高温および高いパワー処理の機能のための高まる需要は半導体工業に半導体として使用される材料の選択を再考させる。例えば、
同様にさまざまより速くより小さい計算装置は、ケイ素の使用しているムーアの法律を支えることを困難に起こり。しかしまたパワー エレクトロニクスで、そうGaNの半導体ウエハーは必要性のために育つ。
独特な特徴（高い最高の現在、高い絶縁破壊電圧および高い転換の頻度が）の原因、ガリウム窒化物GaN未来のエネルギー問題を解決する選択の独特な材料はである。従ってGaNはシステムを持っていて高い発電の効率、こうして減少の電源切れ、より高い頻度のスイッチを基づかせていて、サイズおよび重量を減らす。
GaNの技術は産業の、消費者およびサーバー電源、太陽の、ACドライブおよびUPSインバーターおよび雑種および電気自動車のような多数の強力な適用で使用される。なお、
GaNは細胞基地局、レーダーおよびケーブル・テレビのようなRFの適用に理想的に適する
高い故障の強さのおかげでネットワーキングの下部組織、大気および宇宙空間および防衛セクター、低雑音図および高い直線性。
適用
GaNの基質LEDの等級のための指定
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| 2" GaNの基質 | |
| 項目 | GaN FSN | |
| 次元 | Ф 50.8mmの± 1mm | |
| Marcoの欠陥密度 | ||
| Cのレベル | > 2つのcm-2 | |
| 厚さ | 330 ± 25のµm | |
| オリエンテーション | C軸線（0001）の± 0.5° | |
| オリエンテーションの平たい箱 | （1-100の） ± 0.5°の16.0の± 1.0mm | |
| 二次オリエンテーションの平たい箱 | （11-20の） ± 3°の8.0 ± 1.0mm | |
| TTV （総厚さの変化） | ≤15 µm | |
| 弓 | ≤20 µm | |
| 伝導のタイプ | Nタイプ | |
| 抵抗（300K） | < 0.5 Ω·cm | |
| 転位密度 | 5x106 cm-2よりより少し | |
| 使用可能な表面積 | > 90% | |
| ポーランド語 | 前部表面:RA < 0.2nm。Epi準備ができた磨かれた | |
| 背部表面:良い地面 | ||
| パッケージ | 、単一のウエファーの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。 | |
マクロ欠陥のquanlityはであるLEDの等級のウエファーの公有地（15-30pcs）のための<30pcs
私達のサービス
1. 工場直接製造および販売法。
2. 速く、正確な引用。
3. 24就業時間以内にあなたに答えなさい。
4. ODM:カスタマイズされた設計は利用できる。
5. 速度および貴重な配達。
FAQ
Q:あらゆる標準的なか標準的なプロダクトあるか。
:はい、在庫の常のlike2inch 0.3mmの標準サイズとして共通のサイズ。
Q:サンプル方針はどうですか。
:テストのために第一に10x10mmのサイズを買い戻すことができることを残念、しかし提案しなさい。
Q:私が配達を得た前に私順序を今置けば、どの位あったらか。
:1weeksの在庫の標準サイズは支払の後に表現することができる。
そして私達の支払の言葉は配達の前に50%の沈殿物および左である。