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2inch GaNの基質の型板、LeDのためのGaNのウエファー、ldのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、GaNの型板、mocvd GaNのウエファー、
III窒化物（GaN、AlNのイン）の禁止された帯域幅（発光および吸収）カバー紫外線、
可視ライトおよびinfrared.GaNはLED表示、高エネルギー検出のような多くの地域で使用することができます
そしてイメージ投射、レーザーの投射の表示、力装置、等。
指定:
2" GaNの型板
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項目 |
GaN-T-N |
GaN-T-S |
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次元 |
Ф 2" |
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厚さ |
15 μm、20 μm、30 μm、40 μm |
30 μm、90 μm |
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オリエンテーション |
C軸線（0001）の± 1° |
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伝導のタイプ |
Nタイプ |
半絶縁 |
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抵抗（300K） |
< 0="">Ω·cm |
>106 Ω·cm |
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転位密度 |
1x108 cm-2よりより少し |
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基質の構造 |
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使用可能な表面積 |
> 90% |
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ポーランド語 |
標準:SSPの選択:DSP |
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パッケージ |
、窒素の大気の下で25pcsまたは単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。 |
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- FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できますか。
（1）私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、FOBによるSFを受け入れます。
Q:受渡し時間は何ですか。
（1） 2inch 0.33mmのウエファーのような標準的なプロダクトのために。
目録のため:配達は順序の後に5仕事日です。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か3週労働日数です。
Q:支払う方法か。
先立って100%T/T、Paypalの西連合、MoneyGram、
