ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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SI2301CDS-T1-E3高い発電mosfetのトランジスターP -チャネル20-V (D-S) MOSFET

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シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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SI2301CDS-T1-E3高い発電mosfetのトランジスターP -チャネル20-V (D-S) MOSFET

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型式番号 :SI2301CDS-T1-E3
原産地 :フィリピン
最低順序量 :20
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :20000
受渡し時間 :1
包装の細部 :細部については私に連絡しなさい
記述 :P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta)、1.6W (Tc)表面の台紙SOT-23-3 (TO-236)
Vds :- 20ボルト
Vgs :± 8 V
ID :-3.1 A
DM :- 10 A
は :-3.1 A
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SI2301CDS -T1 - E3高い発電mosfetのトランジスターP -チャネル20-V (D-S) MOSFET

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET


特徴

•利用できるハロゲンなしの選択

•TrenchFET®力MOSFET

適用

•負荷スイッチ

MOSFETプロダクト概要
VDS (v) RDS () (Ω) ID (A) a Qg (タイプ。)
- 20 0.112のVGS = - 4.5ボルト - 3.1 3.3 NC
0.142のVGS = - 2.5ボルト - 2.7

通知がなければ典型的な特徴25の°C、

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