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CSD87312Q3E Mosfet力トランジスターMOSFET二重30V N-CH NexFET PwrのMOSFETs
特徴
適用
プロダクト概要
|
TA = 25°C |
典型的な価値 |
単位 |
||
|
VDS |
源の電圧に流出させなさい |
30 |
V |
|
|
Qg |
ゲート充満合計（4.5V） |
6.3 |
NC |
|
|
Qgd |
流出するべきゲート充満ゲート |
0.7 |
NC |
|
|
RDD （） |
流出させなさい抵抗（Q1+Q2）で流出するために |
VGS = 4.5V |
31 |
mΩ |
|
VGS = 8V |
27 |
mΩ |
||
|
VGS （Th） |
境界の電圧 |
1.0 |
V |
|
発注情報
|
装置 |
パッケージ |
媒体
|
Qty |
船 |
|
CSD87312Q3E |
息子3.3 x 3.3mmのプラスチック パッケージ |
CHの巻き枠13 |
2500 |
テープおよび巻き枠 |
絶対最高評価
|
TA = 25°C |
価値 |
単位 |
|
|
VDS |
源の電圧に流出させなさい |
30 |
V |
|
VGS |
源の電圧へのゲート |
+10/-8 |
V |
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ID |
（1）連続的な下水管の流れ、TC = 25°C |
27 |
|
|
IDM |
脈打った下水管の流れ （2） |
45 |
|
|
PD |
電力損失 |
2.5 |
W |
|
TJ、TSTG |
作動の接続点および保管温度の範囲 |
– 55から150 |
°C |
|
EAS |
なだれエネルギー、単一の脈拍ID =24A、L=0.1mH、RG =25Ω |
29 |
mJ |
記述
CSD87312Q3Eは30V共通源、adaptor/USBの入力保護のために設計されている二重N-channel装置である。この息子は3.3 x 3.3mm装置損失を最小にし、スペースによって強いられる複数の細胞のバッテリーの充電の適用のための低い構成計算を提供するオン抵抗を流出させる低い下水管を持っている。