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ケイ素の平面SOD323ツェナーダイオードMM3Z5V6の± 5%の許容300mW

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Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.

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国/地域：china

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China ケイ素の平面SOD323ツェナーダイオードMM3Z5V6の± 5%の許容300mW wholesale

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ケイ素の平面SOD323ツェナーダイオードMM3Z5V6の± 5%の許容300mW

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型式番号 :MM3Z5V6 SOD-323

原産地 :中国

最低順序量 :3000個

支払の言葉 :T/T、Paypal の現金

供給の能力 :月10億部分の

受渡し時間 :2 - 4週間

包装の細部 :3000pcs/reel/box

タイプ :ケイ素MM3Z5V6 SOD-323のダイオード

パッケージ :SOD-323

パッケージのタイプ :表面の台紙のダイオード

サンプル時間 :5-7日

電力損失 :300mW

Nom。電圧 :5.6V

許容 :± 5%

土台位置 :どれか

容量 :10億部分/月

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MM3Z5V6 SOD-323の± 5%の許容ケイ素の平面のツェナーダイオード

ケイ素の平面SOD323ツェナーダイオードMM3Z5V6の± 5%の許容300mW

MM3Z2V0~MM3Z75 SOD-323 Datasheet.pdf

特徴:

全体の電力損失:最高。300 MW
表面の取付けられた設計のために適した小さいプラスチックパッケージ
およそ許容± 5%

最高の評価および特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）

変数				記号	価値	単位
電力損失				Ptot	300	MW
接合部温度				TJ	150	℃
周囲の空気への熱抵抗の接続点				RthA	417	℃/W
前方電圧の=10mAなら				VF	0.9	V

「ビジネスの基礎のための勤勉およびブランドの利点を作成するために良質プロダクトを提供するビジネスの精神のための評判を使って

「会社の価値提案、Huixinとして幾年もの間中心の開発の方向として研究し、成長の半導体デバイスおよび専門にされた破片に付く。

私達は顧客の必要性を常に最初に置き、顧客にベスト安いプロダクト、完全で、便利なおよび安全供給チャネルを提供するように努力する。私達は電子部品および電子プロダクト工業の国内外で指導者になるために半導体の市場の開発の機会、およびHuixinを作る運動量の乗車を将来握る。

商品のタグ：

silicon diode 1n4001

common anode 7segment

5.1v zener diode datasheet

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