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広東省Huixinの電子工学の技術Co.、株式会社。

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DB207S 2.0Ampの表面の台紙橋整流器ガラスは1000Vを不動態化しました

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低電圧Mosfet

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高圧Mosfet

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広東省Huixinの電子工学の技術Co.、株式会社。
シティ：dongguan
省/州：guangdong
国/地域：china
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China DB207S 2.0Ampの表面の台紙橋整流器ガラスは1000Vを不動態化しました wholesale
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DB207S 2.0Ampの表面の台紙橋整流器ガラスは1000Vを不動態化しました
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型式番号 :DB207S DBS
原産地 :中国
最低順序量 :1500個
支払の言葉 :T/T、Paypal の現金
供給の能力 :月10億部分の
受渡し時間 :2 - 4週間
包装の細部 :1500pcs/reel/box
タイプ :表面の取付けられた橋整流器
パッケージ :DBS
パッケージのタイプ :表面の台紙の整流器
サンプル時間 :5-7日
最高。前方流れ :2.0Amp
最高。逆電圧 :1000V
材料 :ケイ素
土台位置 :どれか
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DB207S 2.0Ampガラスは表面の取付けられた橋整流器を不動態化した

 
DB201S~DB207S DBS Datasheet.pdf
 

 

特徴:
 

 
  • プラスチック パッケージは保険業者の実験室を運ぶ
  • 燃焼性の分類94V-0
  • プリント基板のための考え
  • ガラス不動態化された接続点の破片
  • 低い逆の漏出
  • 高い前方サージ電流の機能
  • 保証される高温にはんだ付けすること
 
 
機械データ:

 
 

  • 場合:形成されたプラスチック ボディ
  • ターミナル:はんだは、MIL-STD-750の方法2026年ごとにsolderableめっきした
  • 極性:ボディで示す極性の記号
  • 土台位置:
  • 重量: 0.0078オンス、0.22グラム

 

最高の評価および特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）

 
 
 

変数記号

 
DB201S
 

DB202SDB203SDB204SDB205SDB206SDB207S単位
最高の反復的なピークの逆電圧VRRM

 
50
 

1002004006008001000ボルト
最高RMSの電圧VRMS

 
35
 

70140280420560700ボルト
最高DCの妨害電圧VDC

 
50
 

1002004006008001000ボルト
TL=100°Cの最高平均前方整流器の流れ（AV）

 
2
 

Amps
ピーク前方サージ電流、定格負荷で重ねられる8.3msSingle半分の正弦波IFSM

 
60
 

Amps
2Aの最高の即時前方電圧VF

 
1.1
 

ボルト
評価されるDCの妨害電圧の最高DCの逆の流れTA=25°CIR

 
5
 

uA
TA=125°C

 
500
 

 
 
注:4.0V D.C.の1MHzそして応用逆電圧の1.Measured
 
 
 
工場建物区域のHuixin 100,000 Sq.meterの月例容量以上10億部分。Huixinに電子部品の企業で一流の製造者のなった1つがある。会社は進み、poductsをテストするprefessionalの実験室は原料のあらゆるプロセスを、点検するprodutsのあらゆるプロセスを、最終検査を配達の前に確認するために制御する。
 
 





















商品のタグ：

bridge rectifer diode

rj 45 panel mount

db9 panel mount
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