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SMAFの平面標準的な整流器ダイオードSMDのダイオード
SMAF平面にSMDの一般目的に整流器ダイオードの高温はんだ付けすること
25のCの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。単一フェーズ容量性負荷流れのための半波60Hzの、抵抗または誘導負荷は、20%によって軽減する。
| 変数 | 記号 | S1A |
S1B
|
S1D | S1G | S1J | S1K | S1M | 単位 | |
| 最高の反復的なピークの逆電圧 | VRRM | 50 |
100
|
200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | ボルト | |
| 最高RMSの電圧 | VRMS | 35 |
70
|
140 | 280 | 420 | 560 | 700 | ボルト | |
| 最高DCの妨害電圧 | VDC | 50 |
100
|
200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | ボルト | |
| TL=100°Cの最高平均前方整流器の流れ | （AV） |
1
|
Amps | |||||||
| ピーク前方サージ電流、定格負荷で重ねられる8.3msSingle半分の正弦波 | IFSM | 30 | Amps | |||||||
| 1Aの最高の即時前方電圧 | VF |
1.1
|
ボルト | |||||||
| 評価されるDCの妨害電圧の最高DCの逆の流れ | TA=25°C | IR | 5 | μA | ||||||
| TA=125°C | 500 | |||||||||
注: 1. 4.0V D.C.の1MHzそして応用逆電圧で測定されて