製品 サプライヤー Sign in Register

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

半導体産業のプロフェッショナルなワンストップ調達プラットフォームで,優れた品質と多様な製品と技術サービスを提供します

Manufacturer from China
正会員
4 年
ホーム 製品カタログ 会社概要 品質管理 お問い合わせ 割当て要求
日本語
ホーム / 製品 /

Sicのエピタキシアル ウエファー

製品カテゴリ

GaNのエピタキシアル ウエファー

 [68]

Sicのエピタキシアル ウエファー

 [33]

GaAsエピウェーハ

 [15]

CVDダイヤモンド基板

 [15]

急速な熱焼きなましシステム

 [2]

ホール効果センサーテスター

 [3]

窒化アルミニウムのウエファー

 [21]

半導体レーザーの破片

 [10]

炭化ケイ素の水晶

 [12]

Ga2O3 ウエハー

 [13]

シリコンの薄片

 [26]

サファイアのウエファー

 [19]

模造されたサファイアの基質

 [10]

テフロン ウエファーのホールダー

 [1]

ウェーハダイシングマシン

 [5]
企業との接触
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
シティ：shanghai
省/州：shanghai
国/地域：china
連絡窓口：Xiwen Bai (Ciel)
表示連絡先の詳細
企業との接触
1 - 10 の 42

 Sicのエピタキシアル ウエファー
China 4インチ4H-SiC 基質PレベルSI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 抵抗≥1E5Ω·cm パワーマイクロ波用 for sale

4インチ4H-SiC 基質PレベルSI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 抵抗≥1E5Ω·cm パワーマイクロ波用

JDCD03-002-002 4inch 4H SiCの基質のP-level SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω·力およびマイクロウェーブ装置のためのcm 概観 SiCはダイオード、力トランジスターおよび高い発電マイクロウェーブ装置の......
企業との接触

Add to Cart
China 4インチ4H-SiC基板PレベルSI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 抵抗力≥1E9Ω·Cm パワーマイクロ波用 for sale

4インチ4H-SiC基板PレベルSI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 抵抗力≥1E9Ω·Cm パワーマイクロ波用

JDCD03-002-001 4inch 4H-SiC基板 PレベルSI 500.0±25.0μm MPD≤0.3/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power andmicrowave devices 概要 SiC は GaAs や Si......
企業との接触

Add to Cart
China 4インチ 4H-SiC基板 Pレベル N型 350.0±25.0μM MPD≦0.5/Cm2 抵抗率 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm for sale

4インチ 4H-SiC基板 Pレベル N型 350.0±25.0μM MPD≦0.5/Cm2 抵抗率 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm

4 インチ 4H-SiC 基板 D レベル N タイプ 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 抵抗率 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm 電力およびマイクロ波デバイス用 概要 高温デバイス SiC は熱伝導率が高いため、他の半導体材料よりも急速に熱を......
企業との接触

Add to Cart
China 単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP for sale

単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

JDCD03-001-004 SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面:光学ポーランド語のSi表面:CMP 概観 それは別（heteroepitaxy）または同じ（homoepitaxy）材料の結晶面の1つの材料の水晶の成長を含む。薄膜材料の格子構造およびオリエンテーションまたは格......
企業との接触

Add to Cart
China 6inch 4H SiC N型基板 47.5mm 二次フラット無し for sale

6inch 4H SiC N型基板 47.5mm 二次フラット無し

6インチ 4H-SiC基板 N型 P-SBDグレード 350.0±25.0μc MPD≤0.5/cm2抵抗率 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm 電力およびマイクロ用 6inch 4H-SiC基板 N型 概要 SiC ブール (結晶) が成長......
企業との接触

Add to Cart
China フォトニック デバイス ISO9001 用の 4H SiC エピタキシャル ウエファー SiC ウエファー基板 for sale

フォトニック デバイス ISO9001 用の 4H SiC エピタキシャル ウエファー SiC ウエファー基板

4H SiC エピタキシャルウェーハ ≤0.2 /Cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm 47.5 mm ± 1.5 mm JDCD03-001-004 概要 エピタキサル ウェーハは、発光ダイオード (LED) などの半導体およびフォトニック デバイ......
企業との接触

Add to Cart
China 力装置マイクロウェーブ装置のための2インチの半導体ウエハーPのレベル260μm for sale

力装置マイクロウェーブ装置のための2インチの半導体ウエハーPのレベル260μm

JDCD03-001-001力装置およびマイクロウェーブ装置のための2インチSiCの基質のP-level 4H-N/SI260μm±25μm 概観 炭化ケイ素（SiC）の独特な電子および熱特性作るため理想的にケイ素またはガリウム砒素装置の機能をはるかに越えて作動する高度の強力な、高周波半導......
企業との接触

Add to Cart
China 4H SiCのエピタキシアル ウエファー≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm0.025Ω•cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm for sale

4H SiCのエピタキシアル ウエファー≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm0.025Ω•cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm

4H SiCのエピタキシアル ウエファー≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm0.025Ω•Cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 概観 200 mmウエファーはいろいろな適用に使用することができる。これらのウエファーは標準的なシリコンの薄片よ......
企業との接触

Add to Cart
China P MOSの等級は2インチSiC EpiのウエファーPのレベルP SBD Dの等級150.0mmを等級別にする for sale

P MOSの等級は2インチSiC EpiのウエファーPのレベルP SBD Dの等級150.0mmを等級別にする

P-MOSの等級2インチSiCの基質のP-Level P-SBDはDの等級150.0 mm +0mm/-0.2mmを等級別にする JDCD03-001-001力装置およびマイクロウェーブ装置のための2インチSiCの基質のP-level 4H-N/SI260μm±25μm 概観 システム......
企業との接触

Add to Cart
China 150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 4H クリスタルフォーム for sale

150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 4H クリスタルフォーム

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward <11-20>±0.5 ° JDCD03-001-004 概要 SiCウェーハは、シリコンでできた半導体です。その平坦性、熱伝導性、......
企業との接触

Add to Cart
お問い合わせカート 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4