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4 インチ 4H-SiC 基板 D レベル N タイプ 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 抵抗率 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm 電力およびマイクロ波デバイス用
概要
高温デバイス
SiC は熱伝導率が高いため、他の半導体材料よりも急速に熱を放散します。これにより、SiC デバイスを非常に高い電力レベルで動作させながら、デバイスから発生する大量の余分な熱を放散させることができます。
高周波パワーデバイス
SiC ベースのマイクロ波電子機器は、ワイヤレス通信とレーダーに使用されます。
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4inch 4H-SiC N型基板 |
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| 製品性能 | Pレベル | D レベル | |
| 結晶形 | 4H | ||
| 多型 | 許可しません | Area≤5% | |
| マイクロパイプ密度a | ≤0.5/cm2 | ≤5/cm2 | |
| 六つの正方形の空 | 許可しません | Area≤5% | |
| 六角面ハイブリッド結晶 | 許可しません | ||
| 包装a | Area≤0.05% | なし | |
| 抵抗率 | 0.015Ω・cm～0.025Ω・cm |
0.014Ω・cm～0.028Ω・cm
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| 障害 | ≤0.5% | なし | |
| 直径 | 100.0mm+0.0/-0.5mm | ||
| 面方位 | 部分的な結晶方向: 4°<11-20> バイアス ± 0.5° | ||
| 主基準辺の長さ |
32.5mm±2.0mm
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| 2 次参照エッジの長さ | 18.0mm±2.0mm | ||
| メイン基準面の向き | 平行＜11-20＞±5.0° | ||
| 二次基準面の向き | 主基準面に対して時計回りに 90 ° ± 5.0 °、Si を上に向ける | ||
| 直交配向偏差 |
±5.0°
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| 表面処理 | C面：鏡面研磨、Si面：化学機械研磨（CMP） | ||
| ウェーハのエッジ | 面取り角度 | ||
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表面粗さ（5μm×5μm）
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Si面Ra＜0.2nm、C面Ra0.50nm
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| 厚さ |
350.0μm±25.0μm
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| LTV(10mm×10mm)a |
≤3µm
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≤5µm
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| TTVa |
≤6µm
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≤10µm
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| 弓a |
≤15µm
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≤30µm
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| ワープa |
≤25µm
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≤45µm
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| 切れ端・隙間 | 長さと幅が 0.5 mm のコラプス エッジは許可されません | ≤2 かつ各長さと幅が 1.0mm | |
| 傷a | ≤5、全長は直径の ≤ 0.5 倍 | ≤5、全長は直径の 1.5 倍 | |
| 利用可能エリア |
≥95%
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なし
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| 欠陥 | 許可しません | ||
| 汚染 | 許可しません | ||
| エッジ除去 |
3mm |
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私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか？
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。
