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6インチ 4H-SiC基板 N型 P-SBDグレード 350.0±25.0μc MPD≤0.5/cm2抵抗率 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm 電力およびマイクロ用
6inch 4H-SiC基板 N型
概要
SiC ブール (結晶) が成長し、インゴットに機械加工され、次に基板にスライスされ、その後研磨されます。次に、この基板の上に薄いSiCエピタキシャル層を成長させて、エピウェーハを作成します。
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財産 |
P-MOSグレード | P-SBDグレード | Dグレード |
| クリスタルフォーム | 4H | ||
| ポリタイプ | なし | Area≤5% | |
| (MPD)a | ≤0.2/cm2 | ≤0.5/cm2 | ≤5/cm2 |
| 六角プレート | なし | Area≤5% | |
| 六方晶多結晶 | なし | ||
| インクルージョンa | Area≤0.05% | Area≤0.05% | なし |
| 抵抗率 | 0.015Ω・cm～0.025Ω・cm | 0.015Ω・cm～0.025Ω・cm | 0.014Ω・cm～0.028Ω・cm |
| (EPD)a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | なし |
| (TED)a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | なし |
| (BPD)a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | なし |
| (TSD)a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | なし |
| 積層欠陥 | ≤0.5% エリア | ≤1% エリア | なし |
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表面金属汚染 |
(Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Pb、Na、K、Ti、Ca、V、Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| 直径 | 150.0mm +0mm/-0.2mm | ||
| 表面の向き | 軸外:<11-20>に向かって4°±0.5° | ||
| 一次平面長 | 47.5mm±1.5mm | ||
| 二次平面長 | 二次フラットなし | ||
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±1°に平行 | ||
| セカンダリ フラット方向 | なし | ||
| 直交ミスオリエンテーション | ±5.0° | ||
| 表面仕上げ | C面：光学研磨、Si面：CMP | ||
| ウェーハエッジ | 面取り | ||
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表面粗さ (10μm×10μm) |
Si 面 Ra≤0.20 nm ； C 面 Ra≤0.50 nm | ||
| 厚さa | 350.0μm±25.0μm | ||
| LTV(10mm×10mm)a | ≦2μm | ≦3μm | |
| (TTV)a | ≦6μm | ≦10μm | |
| （弓）a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| （ワープ）a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| チップ/インデント | なし 許可 ≥0.5mm 幅と深さ | 数量 2 ≤1.0 mm 幅と奥行き | |
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傷a (Siフェイス、CS8520) |
≤5かつ累積長さ≤0.5×ウェーハ直径 |
≤5かつ累積長さ≤1.5×ウェーハ 直径 |
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| トゥア(2mm×2mm) | ≥98% | ≥95% | なし |
| クラック | なし | ||
| 汚染 | なし | ||
| 財産 | P-MOSグレード | P-SBDグレード | Dグレード |
| エッジ除外 | 3mm | ||
備考： の付いた項目は、3mm のエッジ除外が使用されます。a.
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
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はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
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