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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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GaNのエピタキシアル ウエファー

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GaNのエピタキシアル ウエファー

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Sicのエピタキシアル ウエファー

 [33]

GaAsエピウェーハ

 [15]

CVDダイヤモンド基板

 [15]

急速な熱焼きなましシステム

 [2]

ホール効果センサーテスター

 [3]

窒化アルミニウムのウエファー

 [21]

半導体レーザーの破片

 [10]

炭化ケイ素の水晶

 [12]

Ga2O3 ウエハー

 [13]

シリコンの薄片

 [26]

サファイアのウエファー

 [19]

模造されたサファイアの基質

 [10]

テフロン ウエファーのホールダー

 [1]

ウェーハダイシングマシン

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China M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001） for sale

M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

10*10.5mmの²のC表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0=""> 概観特徴は高い結晶、よい均等性および優秀な表面質である。GaNの基質はLDの適用（すみれ色、青および緑）のために使用される。なお、開発は力および高周波電子デバイスの塗布のために進......
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China 2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス for sale

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

2inch C面FeドープSI型自立GaN単結晶基板 抵抗率＞106Ω・cm RFデバイス 概要 窒化ガリウム (GaN) エピタキシャルウェーハ (エピウェーハ)。シリコン基板、サファイア基板、炭化ケイ素 (SiC) 基板などのさまざまな基板上の GaN 高電子移動度トランジスタ......
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China 10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質の厚さ350の±25 µm TTVの≤ 10のµm for sale

10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質の厚さ350の±25 µm TTVの≤ 10のµm

10*10.5mm2 C表面はnタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗をSi添加した < 0=""> 概観ガリウム窒化物（GaN）の基質は良質のsingle-crystal基質である。それは元のHVPE方法および最初に長年にわたり開発されたウエファーの加工技術となされる。特徴は高い結......
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China 10*10.5mm2 C-Face Fe-Doped SI型自由立体GaNシングルクリスタル基板 マクロデフェクト密度 0cm−2 TTV ≤ 10μm 抵抗 106 Ω·Cm RFデバイス for sale

10*10.5mm2 C-Face Fe-Doped SI型自由立体GaNシングルクリスタル基板 マクロデフェクト密度 0cm−2 TTV ≤ 10μm 抵抗 106 Ω·Cm RFデバイス

10*10.5mm2 C表面はSIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗を> 106 Ω Fe添加した·cm RF装置ウエファー 概観 従って私達は工場から直接販売し、GaNの良質の水晶基質のための市場の最もよい価格を提供してもいい。世界からの顧客はGaNの水晶基質の優先する......
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China 5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー for sale

5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー

5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0=""> 概観 出力密度はケイ素と比較されるガリウム窒化物装置でGaNに大いにより高い転換の頻度を支える容量があるので物非常に改善される。それにまた高温を支える高められた機能がある。......
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China 5*10mm2表面Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置ウエファー for sale

5*10mm2表面Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置ウエファー

5*10mm2表面Un-doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 106 Ω·cm RF装置ウエファー 概観Epiの薄いウエファーはリーディング エッジMOS装置のために一般的である。厚いEpiがか多層のエピタキシアル ウエファーは装置のために電力を制御するのに......
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China 5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー for sale

5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー

5*10mm2 M表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0=""> 概観GaNのこれらのウエファーは電気自動車のためのプロジェクター光源、インバーター、および他の適用の使用のための前例のないultra-bright半導体レーザーそして高性能力装置を実現す......
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China マクロデフェクト密度 0cm−2 無ドーピング式 SI型 無線通信機器のための自由立体GANシングルクリスタル基板 5*10mm2 M面 for sale

マクロデフェクト密度 0cm−2 無ドーピング式 SI型 無線通信機器のための自由立体GANシングルクリスタル基板 5*10mm2 M面

5*10mm2 M表面Un-doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 106 Ω·cm RF装置ウエファー 概観Epiの薄いウエファーはリーディング エッジMOS装置のために一般的である。厚いEpiがか多層のエピタキシアル ウエファーは装置のために電力を制御する......
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China 5*10mm2 SP-Face 10-11 無ドーピング N型自由立 GaN単結晶基板 0.1 Ω·cm 電源装置に対する耐性 for sale

5*10mm2 SP-Face 10-11 無ドーピング N型自由立 GaN単結晶基板 0.1 Ω·cm 電源装置に対する耐性

5*10.5mm2 SP表面（10-11） Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0=""> 生成的な敵対的なネットワーク（GANs）は2つのニューラル・ネットワークを使用する実質データのために渡ることができるデータの新しく、総合的な例を発生させるために他に対......
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China 5x10mm2 SP-Face 10-11 無ドーピング N型自由立体GANシングルクリスタル基板 TTV ≤ 10μm 抵抗力0.05 Ω·cm for sale

5x10mm2 SP-Face 10-11 無ドーピング N型自由立体GANシングルクリスタル基板 TTV ≤ 10μm 抵抗力0.05 Ω·cm

5*10mm2 SP表面（10-11） Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0=""> 概観GaNにケイ素上の多くの深刻な利点があり、有効、より速いに動力を与え、もっと回復特徴をよくすることである。但し、GaNは優秀な選択のようにようであるかもしれないがそ......
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