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5*10mm2表面Un-doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 106 Ω·cm RF装置ウエファー
概観
Epiの薄いウエファーはリーディング エッジMOS装置のために一般的である。厚いEpiがか多層のエピタキシアル ウエファーは装置のために電力を制御するのに主に使用されエネルギー消費の効率の改善に貢献している。
ガリウム窒化物（GaN）の基質は良質のsingle-crystal基質である。それは元のHVPE方法および最初に長年にわたり開発されたウエファーの加工技術となされる。特徴は高い結晶、よい均等性および優秀な表面質である。
GaNのこれらのウエファーは電気自動車のためのプロジェクター光源、インバーター、および他の適用の使用のための前例のないultra-bright半導体レーザーそして高性能力装置を実現する。
| 表面支えがないGaNの基質 | ||||
| 項目 | GaN FSU S |
GaN FSN S |
GaN FS SIS |
円アークの角度（R < 2="" mm=""> |
| 次元 | 5つx 10のmm2 | |||
| 厚さ | 350 ±25 µm | |||
| オリエンテーション |
M軸線0 ±0.5°の方の角度を離れた平面（11-20） C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れた平面（11-20） |
|||
| 伝導のタイプ | Nタイプ |
Nタイプ |
Semi-Insulating | |
| 抵抗（300K） | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10のµm | |||
| 弓 | - 10 µmの≤の弓≤ 10のµm | |||
| 前部表面の粗さ |
< 0=""> または < 0=""> |
|||
| 背部表面の粗さ |
0.5の~1.5 μm 選択:1~3 nm （良い地面）; < 0=""> |
|||
| 転位密度 | 1つx 105から3つx 106のcm-2から | |||
| マクロ欠陥密度 | 0のcm-2 | |||
| 使用可能な区域 | > 90% （端の排除） | |||
| パッケージ | 、6 PCSの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる | |||
付録:miscutの角度の図表
M軸線の方の角度を離れたδなら1 = 0 ±0.5°、平面（11-20）は0 ±0.5°である。
δなら2 = - C軸線の方の角度を離れた1 ±0.2°、平面（11-20）はある- 1 ±0.2°。
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
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通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
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