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350±25μm(11-20)±3o、8 ± 1 mm 2 インチ自立型 U-GaN/SI-GaN 基板
2inch C面 アンドープn型自立GaN単結晶基板 比抵抗 < 0.1Ω・cm パワーデバイス/レーザーウエハー
概要
半導体材料業界の規格では、原子間力顕微鏡を用いてGaN単結晶基板の表面粗さを検査する方法が規定されており、化学気相成長法などで成長させたGaN単結晶基板の表面粗さが10nm未満のものに適用されます。
| 2インチ自立型U-GaN/SI-GaN基板 | |||||||
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エクセレントレベル（S） |
生産レベル(A) |
リサーチ レベル (B) |
ダミー レベル (C) |
ノート： (1) 使用可能領域: エッジおよびマクロ欠陥の除外 (2) 3 点: 位置 (2、4、5) のミスカット角度は 0.35 ± 0.15o |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| 寸法 | 50.8±1mm | ||||||
| 厚さ | 350±25μm | ||||||
| オリフラ | (1-100) ± 0.5o、16±1mm | ||||||
| 二次オリフラ | (11-20) ± 3o、8±1mm | ||||||
| 抵抗率 (300K) |
< 0.5 Ω・cm Nタイプ (アンドープ; GaN-FS-CU-C50) または > 1 x 106Ω・cm 半絶縁性 (Feドープ; GaN-FS-C-SI-C50) |
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| TTV | ≦15μm | ||||||
| 弓 | ≦20μm ≦40μm | ||||||
| Ga面の表面粗さ |
< 0.2 nm (研磨済み) または < 0.3 nm (エピタキシーのための研磨および表面処理) |
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| N面の表面粗さ |
0.5～1.5μm オプション: 1~3 nm (ファイングラウンド);< 0.2 nm (研磨済み) |
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| パッケージ | 枚葉容器にクリーンルームで包装 | ||||||
| 使用可能面積 | > 90% | >80% | >70% | ||||
| 転位密度 | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | ||
| 方位：C面（0001）M軸方向へのオフ角 |
0.35±0.15o (3点) |
0.35±0.15o (3点) |
0.35±0.15o (3点) |
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| マクロ欠陥密度（穴） | 0cm-2 | < 0.3cm-2 | < 1cm-2 | ||||
| マクロ欠陥の最大サイズ | < 700μm | < 2000μm | < 4000μm | ||||
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
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