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サファイア SSP C 面 (0001) 上の 4 インチ青色 LED GaN エピタキシャルウエハー M 軸方向へのオフ角度 0.2 ± 0.1°
サファイアSSP上の4インチ青色LED GaNエピタキシャルウェーハ
LED 技術で青色放射を使用すると、2 つの特定の利点が得られます。たとえば、2014 年から 2018 年にかけて、蛍光体の進歩により、青色 LED の効率は 130 ～ 140 lm/W から 200 ～ 210 lm/W に増加しました。
青色 LED の製造におけるもう 1 つの大きな問題は、GaN を正確に p ドーピングすることの難しさでした。1980 年代後半、天野と赤崎は、GaN に亜鉛原子をドープすると、より多くの光を放出し、p ドーピングが改善されることを発見しました。この現象は、後に中村の記事で説明されました。
| 4 インチ GaN オン サファイア ブルー/グリーン LED ウエハー | ||||
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基板 |
タイプ | フラットサファイア |
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| 研磨 | 片面研磨（SSP）・両面研磨（DSP） | |||
| 寸法 | 100±0.2mm | |||
| オリエンテーション | C面(0001) M軸方向へのオフ角 0.2 ± 0.1° | |||
| 厚さ | 650±25μm | |||
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エピレイヤー |
構造 | 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm uGaN | ||
| 厚さ | 5.5±0.5μm | |||
| 粗さ (Ra) | <0.5 nm | |||
| 転位密度 | < 5 × 108cm-2 | |||
| 波長 | 青色LED | 緑のLED | ||
| 465±10nm | 525±10nm | |||
| 波長FWHM | < 25nm | < 40nm | ||
| チップ性能 | カットイン電圧@1μA | 2.3～2.5V | 2.2～2.4V | |
| 使用可能面積 | > 90% (エッジおよびマクロ欠陥の除外) | |||
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パッケージ |
枚葉容器にクリーンルームで包装 |
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私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
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