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サファイアウェーハ上の4インチP型MgドープGaN SSP抵抗率〜10Ωcm LED、レーザー、PINエピタキシャルウェーハ
p 型 Mg ドープ GaN の電気特性は、可変温度ホール効果測定によって調査されます。Mg ドーピング濃度の範囲を持つサンプルは、有機金属化学気相堆積によって準備されました。
ドーパント密度がデバイス アプリケーションで通常使用される高い値に増加すると、多くの現象が観察されます。実効アクセプター エネルギー深度が 190 meV から 112 meV に減少し、低温での不純物伝導がより顕著になり、補償比が増加し、価電子帯の移動度が急激に低下します。
| 4インチMgドープGaN/サファイア基板 | ||
| アイテム | GaN-TCP-C100 |
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| 寸法 | 100±0.2mm | |
| 厚さ/厚さ標準 | 4.5±0.5μm/<3% | |
| オリエンテーション | C 面 (0001) A 軸方向へのオフ角度 0.2 ± 0.1 ° | |
| GaNのオリエンテーションフラット | (1-100) 0±0.2°、30±1mm | |
| 伝導タイプ | P型 | |
| 抵抗率 (300K) | <10Ω・cm | |
| キャリア濃度 | > 1×1017cm-3(pのドーピング濃度+GaN≧5×1019cm-3) | |
| 可動性 | > 5cm2/V·s | |
| *XRD FWHM | (0002) < 300秒角、(10-12) < 400秒角 | |
| 構造 |
~ 0.5 μm p+GaN/~ 1.5 μm p-GaN /~ 2.5 μm uGaN /~ 25 nm uGaN バッファー/430 ± 25 μm サファイア |
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| サファイアの方位 | C 面 (0001) M 軸方向へのオフ角度 0.2 ± 0.1 ° | |
| サファイアのオリエンテーションフラット | (11-20) 0±0.2°、30±1mm | |
| サファイアポリッシュ | 片面研磨（SSP）・両面研磨（DSP） | |
| 使用可能面積 | > 90% (エッジおよびマクロ欠陥の除外) | |
| パッケージ |
コンテナにクリーンルームで梱包： シングル ウエハース ボックス (< 3 PCS) またはカセット (≥ 3 PCS) |
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私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
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はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
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