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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
深セン市和丰信科技有限公司
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集積回路IC (201)
多層陶磁器のコンデンサー (833)
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バイアス抵抗トランジスタ (241)
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バイポーラ トランジスタ (15)
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SI2306BDS-T1-GE3 MOSFET IC 30V 4.0A 1.25W 47mオーム ロジックレベルFET
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製品カテゴリ
集積回路IC
[201]
多層陶磁器のコンデンサー
[833]
厚膜抵抗器
[29]
高周波誘導器
[73]
バイアス抵抗トランジスタ
[241]
ESD保護ダイオード
[95]
ショットキーダイオード整流器
[103]
MOSFETのトランジスター
[13]
サイリスタサージ保護デバイス
[20]
低いドロップアウトの調整装置
[28]
バイポーラ トランジスタ
[15]
企業との接触
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
シティ：
shenzhen
国/地域：
china
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企業との接触
SI2306BDS-T1-GE3 MOSFET IC 30V 4.0A 1.25W 47mオーム ロジックレベルFET
製品の詳細
メーカー：Vishay 製品カテゴリ：MOSFET テクノロジー：si 実装スタイル：SMD/SMT パッケージ/ケース：SOT-23-3 トランジスタ極性：Nチャネル チャンネル数：1チャンネル Vds - ドレイン-ソース間耐圧：30 V Id - 連続ドレイン電流：3.16A Rds(on) ...
製品詳細図 →
