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バイポーラトランジスタ

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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

シティ：shenzhen

国/地域：china

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SI2306BDS-T1-GE3 MOSFET IC 30V 4.0A 1.25W 47mオームロジックレベルFET

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モデル番号 :SI2306BDS-T1-GE3

原産地 :米国

最低注文数量 :1

支払い条件 :T/T

納期 :5～8営業日

梱包の詳細 :SMD/SMT

製品 :MOSFET

インストールスタイル :SMD/SMT

パッケージ/ボックス :SOT-23-3

シリーズ :SI2

カプセル化 :リール，カットテープ，マウスリール

製品タイプ :モスフェット

単重 :8 mg

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製品の説明を表示

メーカー：Vishay
製品カテゴリ：MOSFET
テクノロジー：si
実装スタイル：SMD/SMT
パッケージ/ケース：SOT-23-3
トランジスタ極性：Nチャネル
チャンネル数：1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース間耐圧：30 V
Id - 連続ドレイン電流：3.16A
Rds(on) - ドレイン-ソース間オン抵抗：47 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧：-20 V、+20 V
Vgs(th) - ゲート-ソース間しきい値電圧：3 V
Qg - ゲート電荷：3 nC
最小動作温度：-55℃
最大動作温度：+150℃
Pd - 消費電力：750 mW
チャンネルモード：エンハンスメント
商標名：TrenchFET
パッケージ：リール
パッケージ：カットテープ
梱包：MouseReel
商標：Vishay/Siliconix
構成：シングル
立ち下がり時間：6 ns
製品タイプ：MOSFET
立ち上がり時間：12 ns
シリーズ：SI2
サブカテゴリ：トランジスタ
トランジスタタイプ：1 Nチャネル
標準的なオフ遅延時間：14 ns
標準的なオン遅延時間：7 ns
部品番号エイリアス：SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3-ge3
単位重量：8 mg

SI2306BDS-T1-GE3.pdf

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