限られるシンセンResの電子工学

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トランジスターIC破片

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 トランジスターIC破片

200mA小さい信号のスイッチング・ダイオード1N4148はダイオード ダイオード35

100V最高の逆電圧200mA小さい信号はダイオード1n4148ダイオード35 プロダクト 記述: 1.1N4148シリーズ500 MW 100 Vの最高の逆電圧200 mA小さい信号はダイオード352.ON半導体1N4148小さい信号ダイオード、Iout=300mA、Vrev=100Vの......
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MOSFET NPN トランジスターIC破片SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G

元の新しいMOSFET NPNのトランジスターPNP SOT-23 (SOT-23-3) LP2301BLT1G プロダクト 記述: 1.MOS (電界効果トランジスタ) /LP2301BLT1Gのダイオードおよび整流器 プロダクト承諾のwithRoHSの条件の2.the自由な材料およびハロゲ......
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2N7002 Mosfet NチャネルSMD 60V 115MAの集積回路

集積回路2N7002小さい信号のField-EffectのトランジスターMOSFET N-CH 60V 115MA プロダクト 記述: 2N7002トランジスター、MOSFETのN-Channel、115 mA、60ボルト、1.2オーム、10ボルト、2.1ボルト 2N7002は高い......
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トランジスターMosfet Nチャネル30A 200V 75MOHM 10V MOSの管IRFP250NPBF

トランジスターMOSFET Nチャネル30A 200V 75MOHM 10V MOSの管IRFP250NPBF プロダクト 記述: 1.IRFP250NPBFトランジスター、MOSFETのNチャネル、30 A、200ボルト、75 MoHM、10ボルト、4ボルトパッケージに247 2.Theは商業.....
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電子部品のトランジスターICは1A 2 Pin 1N4007RLGを欠く

在庫の元の電子部品でICは1N4007RLGを欠く プロダクト 記述: 1. ポリ袋で出荷される、袋ごとの10002.利用できるテープおよび、巻き枠ごとの5000、部品番号へ「RL」の接尾辞を加えることによって巻き取られて3.部品番号へ「FF」の接尾辞を加えることによって、箱1箱あたりの3......
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40v NチャネルMosfetのトランジスター162A 40V 4MOHM MOSの管IRF1404PBF

トランジスターMOSFET Nチャネル162A 40V 4MOHM MOSの管IRF1404PBF プロダクト 記述: 1. INFINEON IRF1404PBFのトランジスター、MOSFETのNチャネル、162 A、40ボルト、4 MoHM、10ボルト、4ボルト2。パッケージに220一般にそ.....
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NPNの両極トランジスターIC破片100V 65W 6A TIP41Cの単一のトランジスター

単一のトランジスター両極NPN 100V 65W 6A両極トランジスターTIP41C プロダクト 記述: 、NPN両極、1.TIP41C単一のトランジスター100ボルト、65 W、6 Aの75 hFE2. TIP41CのNPNのトランジスター、6 A、Vce=100 V、HFE:15のパッケージ.....
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オリジナルのトランジスターIC破片SOIC-18 ULN2803ADWRの電子部品

標準的な電子部品で真新しいオリジナルのトランジスターULN2803ADWR SOIC-18 科学技術変数: パッケージのタイプ SOIC-18 パワー最高 2.25 W 実用温度 -40℃ | 85℃ (TA)......
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54MCD 2V SMD LED LEDの発光ダイオードLTST-C191KRKT

130水色透明な54MCD 2Vの表面はLEDパッチの発光ダイオードLTST-C191KRKTを取付けた 科学技術変数: 原産地 中国 銘柄 原物 作動の電圧 2V | 2.4V 評価される力 75......
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FDS6699SのトランジスターMOSの管MOSFET NチャネルのトランジスターSOIC-8

FDS6699SのトランジスターMOSの管NチャネルSOIC-8 製品の説明: 1.プロダクト モデル:FDS6699S 2.記述: MOSFET 3. FDS6699SのトランジスターMOSFET Nチャネル21 A 30 V 3.6 MoHM 10ボルト1.4 V 4.極端......
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