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4 年
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Bom標準的なサービス2N7002Kで新しく、元の集積回路の電子工学の製造者
プロダクト 記述:
小さい信号MOSFET 60 V、380 mAの単一のN-Channel、SOT -23 mA、N−Channel単一、小さい信号MOSFET 60 V、380 SOT−23
強化モードN-Channel MOSFETのフェアチャイルドの半導体
強化モード電界効果トランジスタ（FETs）はフェアチャイルドの特許を取られた高い細胞密度DMOSの技術を使用して作り出される。この高密度プロセスはオン州の抵抗を最小にするように設計され強く、信頼できる性能および速い切換えを提供する。
TRANS MOSFET N-CH 60V 0.3A 3 Pin SOT-23 T/R
MOSFETのトランジスター、Nチャネル、300 mA、60ボルト、2オーム、10ボルト、2.5ボルト
絶対最高評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。装置は作用しないかもしれないまたはこれらのレベルに推薦された作動条件および部品に重点を置くことの上で操作可能であることは推薦されない。付加では、推薦された作動条件の上の圧力への延長露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。Theabsoluteの最高の評価は圧力の評価だけである。通知がなければ価値はでTA = 25°Cある
科学技術変数:
| 下水管源の抵抗 | 2 Ω |
| 下水管源の電圧（Vds） | 60ボルト |
| 連続的な下水管の流れ（ID） | 0.38A |
| 入れられたキャパシタンス（Ciss） | 50pF @25V （Vds） |
| 評価される力（最高） | 350 MW |
| 実用温度 | 55℃ | 150℃ |
| 包装 | テープ及び巻き枠（TR） |
| 最低のパッケージ | 3000 |
| 製造の適用 | 低い側面の負荷スイッチ |
| RoHSの標準 | 迎合的なRoHS |