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| 部分の状態 | 活動的 |
|---|---|
| FETのタイプ | NおよびP-Channel |
| FETの特徴 | 論理のレベルのゲート |
| 流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 20V |
| 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 2.9A、3.2A |
| (最高) @ ID、VgsのRds | 80 mOhm @ 2.9A、4.5V |
| Vgs ((最高) Th) @ ID | 1.2V @ 250µA |
| ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 165pF @ 10V |
| パワー最高 | 1.1W |
| 実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 8-SMDの平らな鉛 |
| 製造者装置パッケージ | ChipFET™ |
| 郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
| 条件 | 新しい元の工場。 |


