製品サプライヤー Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

中国のYJDNの技術CO.、株式会社の点の製造者は2008年に確立された。香港およびシンセンの最も大きい電子部品のディストリビューターの1つは長期順序に、China.YDJN完全な電子部品の供給を設計鎖サービスに、与えるサービスのフルレンジを提供し、システムを配る。構成の部門は動的機器（ICの集積回路、メモリーチップ、ダイオード、トランジスター、等）および受動の部品（コンデンサー、抵抗器、誘導

Manufacturer from China

正会員

3 年

ホーム製品カタログ会社概要品質管理お問い合わせ割当て要求

日本語

製品カテゴリ

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

国/地域：china

連絡窓口：MissVicky

表示連絡先の詳細

企業との接触

SI4288DY-T1-GE3電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

最新の価格を尋ねる

部品番号 :SI4288DY-T1-GE3

製造業者 :Vishay Siliconix

記述 :MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

部門 :トランジスター- FETs、MOSFETs -配列

家族 :トランジスター- FETs、MOSFETs -配列

シリーズ :TrenchFET®

原産地 :原物

最低順序量 :交渉可能

受渡し時間 :交渉可能

支払の言葉 :T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :100000

企業との接触

Add to Cart

製品の説明を表示

SI4288DY-T1-GE3指定

部分の状態	活動的
FETのタイプ	2 N-Channel （二重）
FETの特徴	論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧（Vdss）	40V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C	9.2A
（最高） @ ID、VgsのRds	20 mOhm @ 10A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs	15nC @ 10V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds	580pF @ 20V
パワー最高	3.1W
実用温度	-55°C \| 150°C （TJ）
タイプの取付け	表面の台紙
パッケージ/場合	8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
製造者装置パッケージ	8-SO
郵送物	明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件	新しい元の工場。

SI4288DY-T1-GE3包装

検出

商品のタグ：