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10 年
主要な技術索引:
1.最終的な真空:≤6.6X10 ³ Pa
2.真空の獲得システムは分子ポンプを+機械ポンプ単位採用する
3. 30分の間連続的なポンプは、真空の程度8x10 ³ Paと等しいかまたはそれ以下である
4.円柱放出させるターゲットは独自にまたは同時に働くことができる
5.直径の基質≤60mmは≤700℃に、調節可能なターゲット基盤の時、調節可能な基質の速度水冷と熱することができる
| 部品 | 構成および指定 | |
| 真空槽 | 数 | 単一の部屋 |
| 材料 | 304ステンレス鋼 | |
| 形態 | 円柱縦の構造 | |
| 次元 | Φ300XH250 | |
| 上シール | フッ素のゴム製 シール | |
| ノズル |
複数の2真空ゲージ インターフェイスを放出させるマグネトロン含んでいる ターゲット インターフェイス、 高真空弁インターフェイス、排水の管インターフェイス 観察窓インターフェイス、 3つの弁インターフェイス、3インターフェイスおよび作動のメカニズムの 2電気インターフェイス 導入。 |
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| 開始モード | 上に持ち上がらないでトップ・カバーの持ち上がる装置 | |
| /乾燥するつくこと |
1x1000W照明ランプ、乾燥する1x1000wハロゲン ランプの乾燥 200℃内の温度 |
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| 真空のポンプ施設管理 | 主要なポンプ | 分子ポンプ1pc |
| forepump | 6L回転式ベーンの機械ポンプ | |
| 裏付けポンプ | ||
| 弁 |
高真空弁は超高真空1pcの裁ち切り弁を採用する 超高真空停止を採用する 弁3 |
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| 管/共同 |
ふいごで構成される精密ステンレス鋼の管速く 通りおよび二重カードの荷を下しなさい 袖の接合箇所 |
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| 真空の測定システム | 混合の真空ゲージ、ゲージはすべての金属の裸のゲージを採用する | |
| マグネトロンの放出させるシステム | マグネトロンの放出させる源 | 1-2のR60マグネトロンの放出させるターゲット |
| ターゲット土台位置 | 真空槽の版 | |
| 電源 | DC0.5KW、RF0.5KW各1pc | |
| ターゲット サイズ | 円形の銅ターゲットΦ60x2pcs | |
| バッフル操作 | 直接シャフト1pc | |
| 基質システム | 基質のサイズ/量 | Φ≤60mm、1pc |
| 基質の回転 | autoroatation、速度0-120/minute | |
| ターゲット基盤のトルク | 10cmは、調節可能である（±5cm） | |
| 基質の暖房 | 水冷の700℃の下で、熱することができる | |
| 温度調整 | PID制御、制御正確さ±1℃ | |
| 水冷システム | ターゲットの冷却 |
冷水の管および冷水無しを使ってまたは不十分 冷水圧力、 水 圧力リレーは切られ、ターゲット電源は切られる 防ぐため ターゲット 過熱することから |
| 真空冷却システム | 分子ポンプ冷却 | |
| 基質の冷却 | 冷水の冷却 | |
| ガスの伝達システム | モードの運搬 |
ガス・パイプラインおよび充満弁は真空によって渡される 部屋の壁 |
| ガス制御 | MFCのマス フローのコントローラー | |
| フレーム | 構造 | アルミニウム フレーム |