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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

シティ：shenzhen

国/地域：china

連絡窓口：MissGrace Liang

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MG75P12E2 ヤンジエ電子技術 IGBT

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記述 :トランジスタ - IGBT - モジュールE2

カテゴリー :離散半導体製品トランジスタ IGBTs IGBT モジュール

電流 - コレクター (Ic) (最大) :75 A

製品の状況 :アクティブ

マウントタイプ :シャーシマウント

パッケージ :散装品

シリーズ :-

パッケージ/ケース :モジュール

VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :2.25V @ 15V,50A

電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :1200V

供給者のデバイスパッケージ :-

Mfr :ヤンジ・テクノロジー

動作温度 :-40°C ~ 150°C (TJ)

電流 - コレクターの切断値 (最大) :1mA

IGBTタイプ :-

パワー - マックス :442W

インプット :三相橋整流器

入力容量 (Cies) @ Vce :2.6 nF @ 25V

構成 :ブレーキが付いている三相インバーター

NTC サーミストール :そうだ

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IGBT モジュール 3 段階インバーターブレーキ付き 1200 V 75 A 442 W シャーシマウント