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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

シティ：shenzhen

国/地域：china

連絡窓口：MissGrace Liang

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VS-GT80DA120U 隔離ゲート双極トランジスタビシェイ半導体

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記述 :IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227

カテゴリー :離散半導体製品トランジスタ IGBTs IGBT モジュール

電流 - コレクター (Ic) (最大) :139 A

製品の状況 :アクティブ

マウントタイプ :シャーシマウント

パッケージ :散装品

シリーズ :HEXFRED®

パッケージ/ケース :SOT-227-4 ミニブロック

VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :2.55V @ 15V,80A

電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :1200V

供給者のデバイスパッケージ :SOT-227

Mfr :Vishay大将半導体-ダイオード部

動作温度 :-40°C ~ 150°C (TJ)

電流 - コレクターの切断値 (最大) :100 μA

IGBTタイプ :堀

パワー - マックス :658W

インプット :スタンダード

入力容量 (Cies) @ Vce :4.4 nF @ 25V

構成 :シングル

NTC サーミストール :はい

基本製品番号 :GT80

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IGBT モジュールトレンチシングル 1200 V 139 A 658 W シャーシマウント SOT-227