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Diodes Incorporated ディスクリート半導体デバイス 1N5263B-T

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China Diodes Incorporated ディスクリート半導体デバイス 1N5263B-T wholesale
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Diodes Incorporated ディスクリート半導体デバイス 1N5263B-T
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モデル番号 :1N5263B-T
最小注文数量 :1個
支払い条件 :T/T
納期 :2~8仕事日
ブランド :組み込まれるダイオード
証明書 :/
モデル :1N5263B-T
MOQ :1個
配達 :2~8仕事日
支払い :T/T
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ダイオード社 1N5263B-T

オリジナル ダイオード社 メーカー型式 1N5263B-T
ベンダー 主人 ベンダー モデル 11234142
タイプ ツェナーダイオード 整理番号 --
パッケージの数 -- 包む --
製品説明 ダイオード ツェナー 56V 500MW DO35
仕様 数値
電圧 - ツェナー (公称) (Vz) 261
許容範囲 ±5%
パワー - 最大 500mW
インピーダンス (最大) (Zzt) 150オーム
電流 - 逆漏れ @ Vr 100nA@43V
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If 1.1V @ 200mA
動作温度 -65℃～200℃
取付タイプ スルーホール
パッケージ・ケース DO-204AH、DO-35、アキシャル
サプライヤー デバイス パッケージ DO-35
商品のタグ：

ami semiconductor

semiconductor integrated circuit

silicon diode 1n4001
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