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IGBTテキサス・インスツルメントの部品5MbpsのチタニウムTCAN334GDCNR力モジュール

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シティ:guangzhou
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国/地域:china
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IGBTテキサス・インスツルメントの部品5MbpsのチタニウムTCAN334GDCNR力モジュール

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型式番号 :TCAN334GDCNR
最低順序量 :1部分
支払の言葉 :T/T
受渡し時間 :2~8仕事日
ブランド :テキサス・インスツルメント
証明書 :/
モデル :TCAN334GDCNR
MOQ :1 PC
配達 :2~8仕事日
支払 :T/T
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製品の説明

IGBTテキサス・インスツルメントの部品5MbpsのチタニウムTCAN334GDCNR力モジュール

IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI TCAN334GDCNR

議定書 缶、缶FD
チャネルの数(#) 1
供給電圧(v) 3から3.6
バス欠陥の電圧(v) -14から14
率に(最高)信号を送る(Mbps) 5
評価 カタログ
実用温度範囲(c) -40から125
低い電力モード スタンバイ、操業停止
共通モード電圧(v) -12から12
隔離される いいえ

 

TCAN334Gのための特徴

  • 3.3-V単一の供給操作
  • データ転送速度5までMbps (TCAN33xG装置)
  • ISO 11898-2と互換性がある
  • SOIC-8およびSOT-23パッケージの選択
  • Operatinles:
    • 通常モード(alldevices)
    • 航跡(TCAN334)の低い電力の待機モード
    • Silentmode (TCAN330、TCAN337)
    • 操業停止モード(TCAN330、TCAN334)
  • 操作±12 Vの広い共通モード範囲
  • ±14 Vのバス ピン欠陥の保護
  • 総ループ遅れ < 135="" ns="">
  • 広い包囲された操作の温度較差:– 40°Cへの125°C
  • 場合の無動力最大限に活用された行動:
    • バスおよび論理のpinsareの高いインピーダンス(作動バスまたは適用への負荷無し)
    • 力/downglitchの自由な操作
  • 優秀なEMCの性能
  • 記憶保護機構:
    • busterminalsのESDの保護
      • HBM ESDの保護は±25 kVを超過する
      • IEC61000-4-2 ESDの接触の排出の保護は±12 kVを超過する
    • 運転者の支配的な時間(TXDDTO)
    • 受信機の支配的な時間(RXD DTO)
    • 欠陥の出力ピン(唯一のTCAN337)
    • 不足電圧の保護onVCC
    • 熱shutdownprotection
    • buspinsの現在の制限

TCAN334Gのための記述

装置のTCAN33xの系列はISO 11898の高速と互換性があるできる(ControllerAreaネットワーク)物理層の標準。TCAN330、TCAN332、TCAN334およびTCAN337はdataratesのために1までMbps指定される。缶FDを含むISO 11898-2の更新済版の解放迄、ループ遅れの対称を定義する付加的なタイミング変数はTCAN330G、TCAN332G、TCAN334GおよびTCAN337G装置のために指定される。装置は(DTO)提供する支配的な時間によってネットワークの強さできる運転者のandreceiverを含む多くの記憶保護機構を含んでいる。保護IEC-61000-4-2ESDの接触の排出の12のkVの統合されるシステムlevelrobustnessのための付加的な部品の必要性を除去する。

単一3.3-V供給の使用は3.3-VCANコントローラーが付いているトランシーバー インターフェイスを/MCUs直接可能にする。さらに、これらの装置は同じバスの他の5-V CANtransceiversと完全に対応する。

これらの装置に一致させた支配的な、劣性CommonModesによる優秀なEMCの性能がある。超低い力の操業停止および待機モードはこれらの装置を電池のpoweredapplicationsのために魅力的にさせる。

装置のこの系列はスペース強いられた適用のために標準的な8ピンSOICパッケージと小さいSOT-23パッケージで低下非交換性のために利用できる。

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