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100Mbps IGBT力モジュールの黒のチタニウムISOW7741FDFMR 10000Vpk 5000Vrms

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省/州:guangdong
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100Mbps IGBT力モジュールの黒のチタニウムISOW7741FDFMR 10000Vpk 5000Vrms

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型式番号 :ISOW7741FDFMR
最低順序量 :1部分
支払の言葉 :T/T
受渡し時間 :2~8仕事日
ブランド :テキサス・インスツルメント
証明書 :/
モデル :ISOW7741FDFMR
MOQ :1 PC
配達 :2~8仕事日
支払 :T/T
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新しい100Mbps IGBT力モジュールの黒のチタニウムISOW7741FDFMR 10000Vpk 5000Vrms

IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI ISOW7741FDFMR

タイプ デジタル アイソレーター
データ転送速度(最高) (Mbps) 100
分離の評価(Vrms) 5000
サージ電圧の機能(Vpk) 10000
実用温度範囲(c) -40から125
評価 カタログ

 

ISOW7741のための特徴

  • Mbpsの100データ転送速度
  • 低雑音低放出が付いている統合されたDC-DCのコンバーター
    • 放出は2つの層板の>5 dBの差益が付いているCISPR 32およびEN 55032のクラスBに会うために最大限に活用した
    • 25のMHzの低頻度の周波数変換装置低雑音の性能を可能にする
    • 低い出力さざ波:24 mV
  • 出力電力高性能
    • 最大負荷の効率:46%
    • 出力電力0.55-Wまで
    • 5%のVISOOUTの正確さ
    • 5ボルトから5ボルト:最高の利用できる負荷流れ= 110 mA
    • 5ボルトから3.3ボルト:最高の利用できる負荷流れ= 140 mA
    • 3.3 Vから3.3ボルト:最高の利用できる負荷流れ= 60 mA
  • チャネルのアイソレーター及び周波数変換装置のための独立した電源
    • 論理の供給(VIO):1.71-Vへの5.5-V
    • 周波数変換装置の供給(VDD):3-Vへの5.5-V
  • 強い電磁適合性(EMC)
    • システム レベルESD、EFTおよびサージの免除
    • 分離の障壁を渡る±8 kV IEC 61000-4-2の接触の排出の保護
  • 補強された基本分離の選択
  • 高いCMTI:100-kV/µs (典型的な)
  • 安全は証明を関連付けた(計画される):
    • 補強され、DIN VDEごとの基本絶縁材VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577の部品の認識プログラム
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1およびGB 4943.1-2011の証明
  • 延長温度較差:– 40°Cへの+125°C
  • 20ピン広いボディSOICパッケージ

ISOW7741のための記述

装置のISOW77xxの系列は低い放出が付いている統合された高性能の周波数変換装置が付いているガルバニック隔離されたクォード チャネルのデジタル アイソレーターである。統合されたDC-DCのコンバーターはスペース強いられた隔離された設計の別の隔離された電源のための必要性を除去する隔離された力の550までMW提供する。

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