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TDA2030アンプの集積回路の自動車チタニウムLMV842QMM/NOPBを取付けるSO16

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Guangzhou Topfast Technology Co., Ltd.
シティ:guangzhou
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MsZhang
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TDA2030アンプの集積回路の自動車チタニウムLMV842QMM/NOPBを取付けるSO16

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型式番号 :LMV842QMM/NOPB
最低順序量 :1部分
支払の言葉 :T/T
受渡し時間 :2~8仕事日
ブランド :テキサス・インスツルメント
証明書 :/
モデル :LMV842QMM/NOPB
MOQ :1 PC
配達 :2~8仕事日
支払 :T/T
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製品の説明
 
TDA2030アンプ回路の自動車チタニウムLMV842QMM/NOPBを取付けるSO16

アンプICはテキサス・インスツルメント/TI LMV842QMM/NOPBを欠く

ECADモジュール PCB記号、足跡及び3Dモデル
ECCN EAR99
生産国 マレーシア
自由なハロゲン 迎合的
推定EOLの日付 2031年
代わりとなる部品
(相互参照)
MAX4017EUA+;AD8529ARM-REEL7;AD8529ARMZ-REEL;MAX4216EUA;
序論年紀 2012年11月18日
LMV842Q
需要と供給の状態 バランス
公開市場の擬似脅威 32のpct。
人気 媒体
製造業者のパッケージ 8-VSSOP
パッケージ 8-TSSOP、8-MSOP (0.118"、3.00mmの幅)
土台 SMD
実用温度範囲 -40°C | 125°C
チャネルごとの出力電流 37mA
電圧-入れられたオフセット 50μV
二重供給電圧(±) 2.7 V | 12ボルト、±1.35 V | 6ボルト
GBP -利益帯域幅プロダクト 4.5MHz
出力タイプ 柵に柵
回路の数 2
アンプのタイプ 概要
作動の供給の流れ 1.03mA
製造業者 テキサス・インスツルメント
部門 集積回路(IC)
現在-入れられたバイアス 0.3pA
SR -スルー・レート 2.5 V/μs
包装 巻き枠のパッケージ

 

LMV842-Q1のための特徴

  • AEC-Q100次との自動車資格審査の指導:
    • 装置温度の等級1:– +125°C AmbientOperatingの温度への40°C
    • 装置HBM ESD分類Level2
    • 装置CDM ESD分類のレベルC3
  • 特に断りのない限り、典型的な価値の
    TA = 25 °C、V+ = 5 V。
  • 小さい5 Pin SC70パッケージ(× 2.00 mmの× 1.25 mmの0.95 mm)
  • 広い供給電圧の範囲:2.7 Vから12ボルト
  • 3.3ボルト、5ボルトおよび±5 Vの指定性能
  • 低い供給の流れ:チャネルごとの1 mA
  • 単一性の利益帯域幅:4.5 MHz
  • オープン・ループ利益:133 dB
  • 入れられたオフセットの電圧:500のµVの最高
  • 入れられたバイアス流れ:0.3 pA
  • 108 dBの112 dBそしてPSSRのCMRR
  • 入れられた電圧騒音:20 nV/√Hz
  • 温度較差:−40°Cへの125°C
  • 柵に柵の入出力(RRIO)

LMV842-Q1のための記述

供給電圧及ぶfrom2.7 Vから12とV作動し、柵に柵の入出力機能があるLMV84x-Q1 devicesareの低電圧およびローパワー演算増幅器。低いオフセットの電圧、lowsupply現在、およびCMOSの入力はそれらを高いインピーダンス センサー インターフェイスandbattery動力の塗布にとって理想的にさせる。

単一LMV841-Q1は8ピンVSSOPおよび8ピンSOICパッケージのスペース節約5ピンSC70パッケージ、二重LMV842-Q1、および14ピンTSSOP and14ピンSOICパッケージのquadLMV844-Q1でisoffered。これらの小型パッケージはPCBsの区域強いられたandportable電子工学のための理想的な解決である。

LMV841-Q1、LMV842-Q1およびLMV844-Q1は欠陥のdetectionmethodologiesを含む自動車市場のためのenhancedmanufacturingおよびサポート プロセスを、組み込む。信頼性の資格はAEC-Q100標準でgradesdefined条件および温度と迎合的である。

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