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70T653MS12BCGI記憶IC破片の元の高性能の処理

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シティ:guangzhou
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MsZhang
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70T653MS12BCGI記憶IC破片の元の高性能の処理

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最低順序量 :1部分
支払の言葉 :L/C、T/T
受渡し時間 :5~8の仕事日
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70T653MS12BCGI記憶IC破片の元の高性能の処理

 

 
製造業者:Integrated Device Technology、Inc。 RoHsの状態:迎合的な無鉛/RoHS
タイプの取付け:表面の台紙 特徴:IC SRAM 18M平行256CABGA
パッケージ/場合:256-LBGA 実用温度:- 40°C | 85°C (TA)
記憶フォーマット:SRAM 記憶容量:18Mb (512K X 36)
技術:デュアル ポートSRAM –非同期 アクセス時間:12ns
手に入る数量:標準的な4200 PC 電圧–供給:2.4V | 2.6V
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