Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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5 年
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500mw二重スイッチング・ダイオードの二重ツェナー ダイオードの速い切り替え速度

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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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シティ:shenzhen
国/地域:china
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500mw二重スイッチング・ダイオードの二重ツェナー ダイオードの速い切り替え速度

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原産地 :シンセン中国
最低順序量 :1000-2000のPCS
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2週
支払の言葉 :L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :BAV19W~BAV21W
プロダクトID :BAV19W~BAV21W
特徴 :速い切り替え速度
タイプ :ケイ素整流器
電力損失 :500mw
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SOD-123はダイオードBAV19W~BAV21Wのスイッチング・ダイオードをプラスチック内部に閉じ込める

 

BAV19W~BAV21Wのスイッチング・ダイオード

特徴

Ÿの低い逆の流れ

Ÿの理想的に自動挿入に適する表面の台紙のパッケージ

Ÿの速い切り替え速度

一般目的の転換の適用のためのŸ

印:

 


示す棒は陰極を示す

固体点=緑の形成の混合装置、

どれも、正常な装置。

 

 

最高の評価(通知がなければTa=25℃)

 

記号

 

変数

価値

 

単位

BAV19W BAV20W BAV21W
VRM 非反復ピーク逆電圧 120 200 250 V
VRRM ピーク反復的な逆電圧

 

100

 

150

 

200

 

V

VRWM 働くピーク逆電圧
VR (RMS) RMSの逆電圧 71 106 141 V
IO 平均によって調整される出力電流 200 mA
IFSM 非反復ピーク前方サージ電流@ t=8.3ms 2.0
PD 電力損失 500 MW
RΘJA 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 250 ℃/W
Tj 接合部温度 150
Tstg 保管温度 -55~+150

電気特徴(Ta=25℃他に特に規定がなければ)

 

変数 記号 テスト条件 タイプ 最高 単位

 

 

逆の流れ

 

 

IR

VR=100V BAV19W     0.1

 

 

uA

VR=150V BAV20W     0.1
VR=200V BAV21W     0.1

 

前方電圧

 

VF

IF=100mA     1

 

V

IF=200mA     1.25
総キャパシタンス Ctot VR=0V、f=1MHz     5 pF
逆の回復時間 trr IF= IR =30mA、Irr=0.1*IR、RL=100Ω     50 ns

 

 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
最高 最高
1.050 1.250 0.041 0.049
A1 0.000 0.100 0.000 0.004
A2 1.050 1.150 0.041 0.045
b 0.450 0.650 0.018 0.026
c 0.080 0.150 0.003 0.006
D 1.500 1.700 0.059 0.067
E 2.600 2.800 0.102 0.110
E1 3.550 3.850 0.140 0.152
L 0.500 REF 0.020 REF
L1 0.250 0.450 0.010 0.018
θ

 

 

 

 

 

 

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