Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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1.3Volts保証される二重にスイッチング・ダイオードの高温にはんだ付けすること

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シティ:shenzhen
国/地域:china
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1.3Volts保証される二重にスイッチング・ダイオードの高温にはんだ付けすること

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原産地 :シンセン中国
最低順序量 :1000-2000のPCS
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2週
支払の言葉 :L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :RS1AによるRS1M
プロダクトID :RS1AによるRS1M
重量 :0.002オンス、0.07グラム
VF :1.3Volts
特徴 :低い逆の漏出
IFSM :30.0Amps
私(AV) :1.0Amp
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RS1Mの表面の台紙の逆電圧によるRS1A -現在の-1.0アンペア先の50から1000ボルトの

 

 

 

特徴
 
プラスチック パッケージは保険業者の実験室を運ぶ
燃焼性の分類94V-0
表面の取付けられた適用低い逆の漏出のため
自動化された配置にとって理想的な作り付けのストレイン・レリーフ
高い前方サージ電流の機能
高温にはんだ付けすることは保証した:
ターミナルの250のC/10秒
ガラス不動態化された破片の接続点

 

 

 

 

機械データ

 

場合:JEDEC DO-214ACは不動態化された破片上のプラスチック ボディを形成した

ターミナル:はんだは、MIL-STD-750の方法2026年ごとにsolderableめっきした

極性:色バンドは陰極の端を表示する

土台位置:

重量:0.002オンス、0.07グラム

 

 

 

最高の評価および電気特徴

 

 

25のCの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。

単一フェーズ容量性負荷流れのための半波60Hzの、抵抗または誘導負荷は、20%によって軽減する。

MDDのカタログ番号 記号 RS1A RS1B RS1D RS1G RS1J RS1K RS1M 単位
最高の反復的なピーク逆電圧 VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 ボルト
最高RMSの電圧 VRMS 35 70 140 280 420 560 700 ボルト
最高DCの妨害電圧 VDC 50 100 200 400 600 800 1000 ボルト

最高平均は先に現在を調整した

TL =90 C

(AV) 1.0 Amp

ピーク前方サージ電流

定格負荷(JEDEC方法)で重ねられる8.3ms単一の半分の正弦波

 

IFSM

 

30.0

 

Amps

1.0Aの最高の即時前方電圧 VF 1.3 ボルト

最高DCの逆現在のTA =25 C

評価されるDCの妨害電圧TA =100 C

IR

5.0

50.0

mA
最高の逆の回復時間(ノート1) trr 150 250 500 ns
典型的な接続点キャパシタンス(ノート2) CJ 15.0 pF
典型的な熱抵抗(ノート3) RqJA 50.0 C/W
作動の接続点および保管温度の範囲 TJ、TSTG -50から+150 C

 

 

 

注:

1. 逆の回復状態IF=0.5A、IR=1.0A、Irr=0.25A

2. 4.0V D.C.の1MHzそして応用逆電圧で測定される

3. 接続点からの0.375"の包囲されたへの熱抵抗は(9.5mmの)鉛の長さ、PCB取付けた

 

 

評価そして特性曲線RS1AによるRS1M

 

 

 

1.3Volts保証される二重にスイッチング・ダイオードの高温にはんだ付けすること

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