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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出

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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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China 200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出 wholesale
  • China 200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出 wholesale

200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出
最新の価格を尋ねる
原産地 :シンセン中国
最低順序量 :1000-2000のPCS
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2週
支払の言葉 :L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :MMBD1501A
タイプ :切換えDIODESOD
特徴 :低い漏出
力mosfetのトランジスター :SOT-23はダイオードをプラスチック内部に閉じ込める
DCの妨害電圧 :200v
プロダクトID :MMBD1501A
電力損失 :350mW
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MMBD1501Aの低い漏出ダイオードSOT-23はダイオードをプラスチック内部に閉じ込める


 

特徴
 
の低い漏出
の高い導電率

印:A11

200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出

 

 

 

 

最高の評価（通知がなければTa=25℃）
200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出

 
 
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
 

 200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出
 


 
 
 
典型的なCharacterisitics
   
 
200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出



 
 
 
 
 
 
パッケージの輪郭次元
 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  分 最高 分 最高
0.900 1.150 0.035 0.045
A1 0.000 0.100 0.000 0.004
A2 0.900 1.050 0.035 0.041
b 0.300 0.500 0.012 0.020
c 0.080 0.150 0.003 0.006
D 2.800 3.000 0.110 0.118
E 1.200 1.400 0.047 0.055
E1 2.250 2.550 0.089 0.100
e 0.950のタイプ 0.037のタイプ
e1 1.800 2.000 0.071 0.079
L 0.550 REF 0.022 REF
L1 0.300 0.500 0.012 0.020
θ 0° 8° 0° 8°

 

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