Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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1特徴•方向制御信号は必要としなかった•最高のデータ転送速度– 24 Mbps （プッシュ プル） – 2 Mbps （開いた下水管）•テキサス・インスツルメントNanoFree™のパッケージで利用できる•1.65 Vから港の3.6ボルトおよび2.3ボルトからBの港（VCCAの≤ VCCB）の5.5ボルト•必須パワー供給の配列無し– VCCAかVCCBは最初に増やことができる•Latch-Upの性能はJESD 78のクラスごとの100 mAをII超過する•ESDの保護はJESD 22を– Aの港超過する•2000-V人間ボディ モデル（A114-B）•200-V機械モデル（A115-A）•1000-V満た装置モデル（C101） – Bの港•15 kV人間ボディ モデル（A114-B）•200-V機械モデル（A115-A）•1000-V満た装置モデル（C101）•IEC 61000-4-2 ESD （Bの港） – ±8 kV接触の排出– ±10 kVエアギャップの排出。
2つの適用•受話器•Smartphone•タブレット•デスクトップ パソコン。
3記述はこの4ビット非逆になる訳者2つの別々の構成可能のパワー供給の柵を使用する。Aの港はVCCAを追跡するように設計されている。VCCAは1.65ボルトからのV. VCCAがVCCBと等しいかまたはそれ以下でなければならない3.6に供給電圧を受け入れる。Bの港はVCCBを追跡するように設計されている。VCCBは2.3ボルトからの5.5 V.に供給電圧を受け入れる。これは1.8-V、2.5-V、3.3-Vおよび5-V電圧ノードの何れか間の低電圧の二方向翻訳を可能にする。出力可能にしなさい時（OE）入力はhigh-impedance州に低い、すべての出力置かれる。TXS0104EはOEの入力回路がVCCAによって供給されるように設計されている。か力保障するためにはの上の力の間にhigh-impedance州を、OEはpulldownの抵抗器を通したGNDに結ばれるべきである;抵抗器の最小値は運転者の現在調達の機能によって定められる。
| 製造業者:テキサス・インスツルメント | 製品カテゴリ:転換-電圧レベル |
| RoHS:細部 | 伝搬遅延の時間:260 ns |
| 供給電圧-最高:5.5 V | 供給電圧-分:1.65 V、2.3ボルト |
| 最低の実用温度:- 40 C | 最高使用可能温度:+ 85 C |
| 設置様式:SMD/SMT | パッケージ/場合:BGA Microstar後輩12 |
| シリーズ:TXS0104E | パッケージ:巻き枠 |
| パッケージ:テープを切りなさい | パッケージ:MouseReel |
| 商標:テキサス・インスツルメント | データ転送速度:50 Mb/s |
| 高レベル出力電流:24 mA | 論理のタイプ:電圧レベルの訳者 |
| 低レベルの出力電流:24 mA | 実用温度範囲:- + 85 Cへの40 C |
| 製品タイプ:翻訳-電圧レベル | 工場パッキングの量:2500 |
| 下位範疇:論理IC |
単位重量:5.600 mg |
