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| 製品名:STL3N65M2 | ![]() ![]() |
| 製造業者:STMicroelectronics | 製品カテゴリ:MOSFET |
| 技術:Si | 設置様式:SMD/SMT |
| パッケージ/場合:PowerFLAT 3.3x3.3 HV8 | トランジスター極性:N-Channel |
| チャネルの数:1つのチャネル | Vds下水管源の絶縁破壊電圧:650ボルト |
| ID連続的な下水管の流れ:2.3 A | 抵抗のRdsのオン下水管の源:1.6オーム |
| Vgs -ゲート源の電圧:- 25ボルト、+ 25ボルト | VgsのThゲート源の境界の電圧:2ボルト |
| Qgゲート充満:5 NC | 最低の実用温度:- 55 C |
| 最高使用可能温度:+ 150 C | Pd力の消滅:22 W |
| チャネル モード:強化 | 銘柄:MDmesh |
| パッケージ:巻き枠 | パッケージ:テープを切りなさい |
| パッケージ:MouseReel | ブランド:STMicroelectronics |
| 構成:単一 | 落下時間:21.5 ns |
| 製品タイプ:MOSFET | 上昇時間:3.4 ns |
| シリーズ:STL3N65M2 | 工場パッキングの量:3000 |
| 下位範疇:MOSFETs | トランジスター タイプ:1つのN-Channel |
| 典型的なturn-off遅れ時間:17 ns | 典型的なturn-on遅れ時間:6 ns |
| 単位重量:20 mg | 単位重量:20 mg |