製品 サプライヤー Sign in Register

Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,

Manufacturer from China
確認済みサプライヤー
5 年
ホーム 製品カタログ 会社概要 品質管理 お問い合わせ 引用を要求
日本語
ホーム / 製品 / ショットキー橋整流器 /

70Vショットキー橋整流器の低い電力の損失の高いサージ機能

製品カテゴリ

STM32 IC

 [8]

電圧安定装置IC

 [41]

MCUのマイクロ制御回路単位

 [88]

Mosfet力トランジスター

 [23]

先端力トランジスター

 [2]

ケイ素力トランジスター

 [3]

二重スイッチング・ダイオード

 [3]

Mosの電界効果トランジスタ

 [10]

速い回復整流器ダイオード

 [1]

力のツェナー ダイオード

 [1]

ショットキー橋整流器

 [1]

高圧整流器ダイオード

 [1]
企業との接触
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
ウェブサイトにアクセスします
シティ：shenzhen
国/地域：china
連絡窓口：MrJimmy Lee
表示連絡先の詳細
企業との接触
China 70Vショットキー橋整流器の低い電力の損失の高いサージ機能 wholesale
  • China 70Vショットキー橋整流器の低い電力の損失の高いサージ機能 wholesale

70Vショットキー橋整流器の低い電力の損失の高いサージ機能
最新の価格を尋ねる
原産地 :シンセン中国
最低順序量 :1000-2000のPCS
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2週
支払の言葉 :L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :MBRB10100CT-B
力mosfetのトランジスター :TO-263-2Lはダイオードをプラスチック内部に閉じ込める
タイプ :ショットキー橋整流器
特徴 :低い電力の損失、高性能
RMSの逆電圧 :70V
プロダクトID :MBRB10100CT-B
TJ :125℃
more
企業との接触

Add to Cart
類似の動画を探す
製品の説明を表示

MBR3060CT/MBR3060FCT TO-220-3Lはダイオードをプラスチック内部に閉じ込める


 

特徴
 
ショットキー障壁の破片
低い電力の損失、高性能
監視リングは構造一時的な保護のための死ぬ
高いサージ機能
高い現在の機能および低い前方電圧低下
低電圧の使用のため、高周波インバーター、自由な回転、
そして極性の保護適用
 
MAXIMUMRATINGS （Ta=25℃unlessotherwisenoted）
70Vショットキー橋整流器の低い電力の損失の高いサージ機能
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS （Ta=25℃unlessotherwisespecified）
 
70Vショットキー橋整流器の低い電力の損失の高いサージ機能
 
 
典型的な特徴
 
70Vショットキー橋整流器の低い電力の損失の高いサージ機能
 
 
お問い合わせカート 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4