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0.56uH電子工学MHA0712NSGR56Mのための破片によって形成される統合された誘導器1.0mm高さ

0.56uH電子工学MHA0712NSGR56Mのための破片によって形成される統合された誘導器1.0mm高さ
  • 0.56uH電子工学MHA0712NSGR56Mのための破片によって形成される統合された誘導器1.0mm高さ
製品の詳細
電子工学MHA0712NSGR56Mのための0.56uH破片の統合された形成された誘導器 記述: 部品番号 インダクタンス (uH±20%) DCR (mΩ) @25℃ タイプ。 DCR (mΩ) @25℃ MAX. Irms (a) Isat (a) MHA0712NSGR56M 0.33 13...
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