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0.56uH電子工学MHA0712NSGR56Mのための破片によって形成される統合された誘導器1.0mm高さ

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0.56uH電子工学MHA0712NSGR56Mのための破片によって形成される統合された誘導器1.0mm高さ

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型式番号 :MHA0712NSGR56M
原産地 :広東省、シンセン
最低順序量 :500/1000
支払の言葉 :TT、ペイパルは、西連合
供給の能力 :1kk-pcs/month
受渡し時間 :在庫か 3 週
包装の細部 :巻き枠/皿
製品名 :電子工学MHA0712NSGR56Mのための0.56uH破片によって統合される形成された誘導器
応用分野 :エレクトロニクス
インダクタンス :0.56-10.0uH
タイプ :smd インダクタ
高さ :1.0 mm
重量 :0.29g
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電子工学MHA0712NSGR56Mのための0.56uH破片の統合された形成された誘導器


記述:

部品番号

インダクタンス

(uH±20%)

DCR (mΩ) @25℃

タイプ。

DCR (mΩ) @25℃

MAX.

Irms

(a)

Isat

(a)

MHA0712NSGR56M 0.33 13.50 15.50 7.00 11.00
MHA0712NSGR56M 0.47 15.00 17.50 6.70 9.00
MHA0712NSGR56M 0.68 21.50 24.50 6.30 8.00
MHA0712NSGR56M 1.00 25.00 29.00 6.00 7.50
MHA0712NSGR56M 1.50 51.50 59.00 4.00 5.00
MHA0712NSGR56M 2.20 80.00 92.00 3.00 4.00
MHA0712NSGR56M 4.70 106.0 122.0 2.70 3.50
MHA0712NSGR56M   185.0 210.0 2.20 2.80
MHA0712NSGR56M   250.0 290.0 2.00 2.20

 

 

次元:

0.56uH電子工学MHA0712NSGR56Mのための破片によって形成される統合された誘導器1.0mm高さ

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