トランジスター選択

TK13A60D （STA4、Q、M）東芝の電界効果トランジスタ13A 600V 0.33オームのN-Channel MOS 東芝の電界効果トランジスタのケイ素NチャネルMOSのタイプ 適用 転換の電圧安定器 記述 東芝π MOSのVII MOSFETsは10Vゲート ドライブ、π MOS.........

製品名 帽子が付いている強いトランジスター輪郭ヘッダー プロダクト モデル JOPTEC コーティングのめっき 十分に帽子によってAuか選択的なめっきの強いトランジスター輪郭ヘッダーをめっきすること 終わり.........

穴を通したBC213L-C NPN PNPのトランジスター両極トランジスターPNP 30V 500mA 200MHz 625mW PNPの一般目的のアンプ •この装置は300mAへのコレクター流れを要求する一般目的のアンプおよびスイッチとして使用のためにdeisgned。 •プロセス68から供給され......

電気通信および産業使用のためのトランジスターIRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A力MOSFET IRLR7843PbF IRLU7843PbF 記述 非絶縁DC/DCのコンバーターのための力MOSFETの選択 .........

穴TO-247-3を通したAFGHL40T120RLD IGBTの堀の視野絞り1200 V 48 A 529 W 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: onsemi 製品カテゴリ: IGB......

L78L33肯定的な電圧安定器、3つのPinのトランジスター高い発電 ■の出力電流100までmA 3.3の■の出力電圧;5;6;8;9;10;12;15;18;20;24V ■の熱積み過ぎの保護 ■の短絡の保護 ■はEXTERNALの部品要求されません ±5% （AC）または±10.........

FOD817B3SDオプトカプラー/Photocouplersのトランジスター出力オプトカプラー * AC入力応答（FOD814） •指定グループの現在の移動比率 * FOD814:20-300% * FOD814A:50-150% * FOD817:50-600% *.........

800V CoolMOSTMのセリウム力トランジスターIPA80R1K4CE電界効果トランジスタ 記述CoolMOS™のセリウムは高圧力のための革命的な技術ですMOSFETs。高圧機能は性能と安全を結合しますそして高性能のレベルで馬小屋の設計を許可する険しさ。CoolMOS.........

両極トランジスター- BJTの両極トランジスターNPN SOT-23 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: 組み込まれるダイオード 製品カテゴリ: 両極トランジスタ.........

BC817-25 45 Vの500 mA NPNの一般目的のトランジスターSOT23 原物 記述 小さいSOT23のNPNの一般目的のトランジスターは装置（SMD）プラスチック パッケージを表面取付けた。 特徴: •高い流れ•3つの現在の利益選択•AEC-Q101は.........

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UPS電源のための金属酸化半導体場効果トランジスタ 製品説明: シリコンカービッドMOSFETの製品概要 シリコンカービッド (SiC) メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) は,シリコンカービッド材料のNチャネル装置の一種である.このデバイスは,高周波アプリケーショ........

工業用シリコンカービッドMOSFET 多目的高周波トランジスタ 製品説明: についてシリコンカービッドモスフェットスイッチの速さも速いので,すぐにオン・オフできるので,パワーインバーター,電気自動車,グリッドインフラストラクチャ,産業用ドライブ,消費電子機器などに最適です電気通信機器低電源抵抗に........

トランジスター動力源の8000A電池のパックの溶接機インバーター ガントリー点の溶接工 この親切な電池の点の溶接工は18650、26650の32650円柱電池のために主に、NI-MH電池（ニッケル金属の水素化合物電池）使用されたり、カドミウム電池およびEVのリチウム電池のパックNIタブの溶接にニ........

自動車IGBTモジュールMSCSM70VM19C3AG Mosfetの配列のシャーシの台紙のトランジスター MSCSM70VM19C3AGの製品の説明 MSCSM70VM19C3AGの利用できる標準モジュールの製品種目は回路の地勢学の幅広い選択に、炭化ケイ素を含む半導体、電圧お.........

BCX54-10-QX 1. 概要 SOT89 (SC-62) フラットリード表面実装デバイス (SMD) プラスチックパッケージのNPN中電力トランジスタ。 2. 特長と利点 • 高コレクタ電流能力 IC および ICM • 3つの電流ゲイ.........

製品の説明: CH350HV37AはTFT LCDのパネル、運転者IC、FPCおよびバックライトで構成される正方形のTransmissiveタイプ色の活動的なマトリックスの液晶表示装置（LCD）である。 このLCDモジュールに320x480の決断があり、200からの明るさの選択のさまざまなレ.........

製品説明: 我々は,新しい世代のIGBTダブルユニットモジュール周波数電気炉 (patent No.はZL 2022 0274062) の特許を所有しています.サーリストーリオン電池の内部にある電流制限インダクタを拒絶しているため,サーリストーリオン電池よりも 5%の電力を節約できます...........

TLP521-4GB高密度MOUNTINGPHOTOTRANSISTOROPTICALLYはアイソレーターをつなぎました 特徴 高い現在の移動比率（50%分） 高い分離の電圧（5.3kV RMS、7.5kVPK） すべての電気変数テストされる100% 利用できる注文の電気選択 適用 コンピュータ端末 ......

高光:電子部品/統合回路/ICチップ 製品属性 切断テープ (CT) Digi-Reel® タイプ 記述 選択する カテゴリー 離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 双極トランジスタ配列.........