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在庫の新しい元のICの破片IGBTのトランジスター650V 80A 375W STGWA60H65DFB
| タイプ | 記述 | 完全に選びなさい |
| 部門 | 分離した半導体製品 | |
|---|---|---|
| 単一トランジスター- IGBTs - | ||
| 製造業者 | STMicroelectronics | |
| シリーズ | - | |
| 包装 | 管 | |
| 部分の状態 | 活動的 | |
| IGBTのタイプ | 堀の視野絞り | |
| 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） | 650V | |
| 現在-コレクター（（最高） IC） | 80A | |
| 現在-脈打つコレクター（Icm） | 240A | |
| Vce （） （最高） @ Vge、IC | 2V @ 15V、60A | |
| パワー最高 | 375W | |
| 転換エネルギー | 1.59mJ （）、900µJ （） | |
| 入れられたタイプ | 標準 | |
| ゲート充満 | 306nC | |
| Td （オン/オフ） @ 25°C | 66ns/210ns | |
| テスト条件 | 400V、60A、10Ohm、15V | |
| 逆の回復時間（trr） | 60ns | |
| 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） | |
| タイプの取付け | 穴を通して | |
| パッケージ/場合 | TO-247-3 | |
| 製造者装置パッケージ | TO-247は長く導く | |
| 基礎部品番号 | STGWA60 |
特徴•最高の接合部温度:TJ = 175 °C•高速転換シリーズ•最小にされた尾流れ•低い飽和電圧:VCE （坐る） = 1.6ボルト（タイプ。） @ IC = 60 A•堅い変数配分•安全な平行になること•肯定的なVCEの（坐った）温度係数•低い熱抵抗•非常に速く柔らかい回復antiparallelダイオード
適用•光起電インバーター•高周波コンバーター
記述はこれらの装置高度の専有堀のゲートのfieldstopの構造を使用して開発されるIGBTsである。これらの装置はあらゆる頻度コンバーターの効率を最大にするために伝導と転換の損失間の最適妥協を表す新しいHBの一連のIGBTsの部分である。なお、より安全な平行になる操作のわずかに肯定的なVCEの（坐った）温度係数そして非常に堅い変数配分の結果。
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