トランジスタ de rf オリジナル

VHFのRFの電力増幅器のためのNPNのケイ素rf力mosfetのトランジスターは移動式ラジオ、2SC1972にバンドを付けます 記述: ASI 2SC1972はVHFバンド移動式無線の塗布のRFの電力増幅器のために設計されています。 特徴は下記のものを含んでいます: •ほとんど.........

集積回路IC オリジナルと新品,2SA1213 SOT-89 シルクスクリーン NY トランジスタ トランジスタ CJ/チャングディアン オリジナル [Wh はo - そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,ア.........

製品の説明プロダクト細部 包装大きさ 部分の状態時代遅れ トランジスター タイプN-Channel JFET 頻度- 利益- 現在の評価（Amps）100mA 雑音指数- パワー出力- 評価される電圧-25V パッケージ/場合TO-226-3、TO-92-3 （TO-226AA） 製造者装置パッ........

製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si.........

2SC1971 C1971 TO220 NPNのエピタキシアル平面のタイプ トランジスターはRFの電力増幅器のために設計しました 記述: ケイ素NPNのエピタキシアル平面のタイプ トランジスターはVHFバンド移動式無線の塗布のRFの電力増幅器のために設計しました。 在庫の他の電子部品のリスト ......

RF モスフェット 30V 1.6A 2.14GHz 15.8dB 50W H-37260-2...

電界効果トランジスタIRGP50B60PDPBFの新しく、元の在庫 [だれ私達があるか。] 、シンセンの正直者の電子技術Co. 1998年に創設されて、Ltd.i sは新しいのの販売を完全に半導体および電子部品販売の分野および20年にわたる顧客のためのサービスで従事している専門.........

SD1480 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路SD1480 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

質が良い電子部品中国GSエレクトロニクスからのサプライヤー 製品:AD623ARZ 製品説明:AD623ARZは,低コストで,精密な計測器のアンプで,小さな差異信号の正確な増幅を必要とするアプリケーションのために設計されています.優れたインプットオフセット電圧漂流AD623ARZは,手頃な価格.........

MRF9045LR1TRANSISTORS RFの在庫の両極トランジスターSi原物 ASI MRF9045LR1は金金属で処理される高圧である 横に拡散させた金属酸化膜半導体。今日のための理想 RFの電力増幅器の塗布。 製品カテゴリ: RF M.........

QPD1016 RF JFET トランジスタ DC-1.7 GHz 500W 50V GaN RF Tr 製造者: コルボ 製品カテゴリー: RF JFETトランジスタ RoHS について 詳細 トランジスタタイプ: HEMT テクノロジー GaN SiC.........

AD9364BBCZ RF力トランジスター高い実行信頼できる力の解決 製品名:AD9364BBCZ RF力トランジスター 記述:AD9364BBCZ RF力トランジスターは商業の、産業および自動車適用の使用のために設計されている強力なクラスABのトランジスターである。この装置は高利得.........

BFS505 NPN PNPのトランジスターRFトランジスターNPN 15V 18mA 9GHz 150mW表面の台紙 NPN 9つのGHzの広帯域のトランジスター 特徴 •低い消費電流 •高い発電の利益 •低雑音図 •高い転移の頻度 •金のメタライゼーションは保障します 優秀な信頼性 ......

FMの移動式ラジオのための150-175MHZ RF力MOSFETのトランジスターM68702H 条件: 100%の真新しいプロダクト 部分の状態: 活動的 パッケージ: H2 無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的.........

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2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF...

NPT2010指定 部分の状態 活動的 トランジスター タイプ HEMT...

AFT05MS003NT1 MOSFETのトランジスターNチャネル500mV 30V RF力 AFT05MS003NT1、のRF MOSFETのトランジスター、N-Channel、- 500 mV、30ボルト、RF力MOSFET、1.8 MHzから941のMHz、20.8 dB、SOT-8.........