シリコンカービッド半導体装置 多晶形 4H 6H 3C カスタムサイズ 5G通信チップ
モデル番号:シリコンカービッドチップ
産地:中国
支払条件:T/T
配達時間:2〜4週間
材料:シリコンカービッド
サイズ:カスタマイズ
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Shanghai Shanghai China
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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シリコンカービッド半導体装置 多晶形 4H 6H 3C カスタムサイズ 5G通信チップ
シリコンカービッドチップは,シリコンカービッド (SiC) 材料で作られた半導体装置である.高温で優れた性能を示すために,シリコンカービッドの優れた物理的および化学的特性を利用高圧および高周波環境で
特徴
• 高度な硬さと耐磨性:シリコンカービッドは高度な硬さと優れた耐磨性があり,表面の耐磨性を持ち,使用寿命を延長することができます.
●高強度:高負荷と高機械的ストレスを耐えられるため,高負荷および高ストレスの環境で使用するのに適しています.
●高熱安定性:シリコンカービッドは熱安定性,低熱膨張率,高熱伝導性,高温でストレスや熱ショックに耐える作業温度は600°C以上に達する.
• 幅広く帯域間隔がある: SiC の幅広く帯域間隔があるため,高温および高電圧環境でうまく動作し,高電力および高温アプリケーションに適しています.
• 高電子移動性:高電子移動性により,装置は高速で高周波で動作できます.
• 高電子飽和率:シリコンカービッドの電子飽和率は,シリコンの2倍です.シリコンカービッド装置がより高い動作周波数とより高い電源密度を達成できるようにする.
• 高断裂電場強度:高電圧操作に耐えることができ,サイズと重量を減らす.
• 化学的安定性: ほとんどの酸,塩基,酸化剤に非常に耐性があり,厳しい化学環境でも性能を維持します.
テクニカルパラメータ
資産 4H-SiC シングルクリスタル 6H-SiC シングルクリスタル 格子パラメータ a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å 積み重ねの順序 ABCB ABCACB モース硬さ ≈92 ≈92 密度 3.21g/cm3 3.21g/cm3 熱 膨張係数 4〜5×10〜6/K 4〜5×10〜6/K 屈折指数 @750nm 2 は 2 です.61
ne = 2 について66
2 は 2 です.60
ne = 2 について65
ダイレクトリ常数 c~966 c~966 熱伝導性 (N型,0.02オム/cm) a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K
熱伝導性 (半絶縁) a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K
a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K
バンドギャップ 3.23 eV 3.02 eV 断裂する電場 3〜5×106V/cm 3〜5×106V/cm 飽和漂流速度 2.0×105m/s 2.0×105m/s 申請
電力電子機器: 高効率で高電力密度のスイッチング電源を設計するために使用され,電気自動車,太陽光インバーター,その他の分野に適しています.エネルギー変換効率を向上させ,システムコストを削減する.
• ワイヤレス通信: 5G通信,衛星,レーダー,その他の分野に適した高周波,高速 RF パワーアンプの設計に使用されます.
LED照明:高効率で明るいLEDドライバを設計するために使用され,室内・室外照明やその他の分野に適しています.
• 自動車: より効率的で信頼性の高い電気自動車の駆動システムやバッテリー管理システムを作るために使用できます.
• 航空宇宙:シリコンカービッドチップは高温や放射線などの厳しい環境に耐えるため,システムの安定した動作を保証します.
関連製品:
1. Q: どうやって支払いますか?
A:100%T/T,Paypal,ウェストユニオン,マネーグラム,安全な支払いと取引
保証など2Q:私は私の必要に応じて製品をカスタマイズできますか?
A: はい,我々は,あなたの光学部品のための材料,仕様をカスタマイズすることができます
あなたのニーズに基づいて3Q: 配達時間は?
A: (1) 標準製品については
注文後 5 営業日以内に届けます
カスタマイズされた製品については,注文から2〜3週間後に配達します.
(2) 特殊形状の商品は,注文から4週間の間に配達されます.
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