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改正のダイオード

1 - 20 の結果 改正のダイオード から 1070 製品

製品パラメータ TI/テキサス・インストルメント 半導体 集積回路 電子部品 チップCD74AC299M96 試聴する Mfr TI/テキサス・インストルメント・テクノロジー 製造者 製品番号 CD.........

Time : Jun,07,2025
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BA159はダイオード1.0A 1000V LEDの運転者のための回復ケイ素の整流器絶食します 記述: 超高速の回復整流器ダイオードは高周波で改正の為に短い逆の回復時間を所有している半導体デバイスです。速い回復の時間は高周波AC信号の改正のために重大です。ダイオードは整流器で大抵超高.........

Time : May,30,2024
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50A300V MUR5030PT TO-247の整直のための急速回復ダイオード 部分番号 パッケージ 死ぬ ロー(A) VBR@IR VF ((25°C) IR ((25°C) VF ((125°C) IR(125°C) IFSM(A) トル Tj(°C).........

Time : Mar,31,2025
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3A 100-800Vはダイオード高いサージ機能の回復整流器絶食します 3Aはダイオード800V電圧BY396によってBY399に100の回復整流器絶食します 速い回復整流器ダイオードは短い逆の回復を所有している半導体デバイスです 高周波の改正のの時間。速い回復の時間は改正のために重大のです 高周......

Time : Sep,09,2023
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ダイオテック半導体1N5402直定ダイオードによる効率的な直定 デオテックセミコンダクタ 1N5402 リキティファーのダイオードを紹介します 優れた性能と堅牢な設計によりこのダイオードは,様々な電子回路で交流電流 (AC) を直流 (DC) に変換するための信頼できるソリューションを提供します.1......

Time : Dec,04,2024
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RBQ3RSM10BTL1ダイオードのショットキー100 V 3A表面の台紙TO-277AROHMの半導体のRBQxショットキーのバリア・ダイオード ROHMの半導体RBQxショットキーはバリア・ダイオードがAEC-Q101の高信頼性低いIを修飾した概要の改正のためのRのダイオード。これらのダ.........

Time : Nov,25,2024
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RB056L-40TE25ショットキーのバリア・ダイオードのケイ素の平面のツェナー ダイオード18vのツェナー ダイオード の塗布 概要の改正 の特徴 1)小さい力型のタイプ。(PMDS)2)低いIR 3)高い信頼性 の構造 ケイ素のエピタ.........

Time : May,30,2024
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MBR120VLSFT1Gの一般目的の整流器ダイオードのダイオードのショットキー20V 1A表面の台紙 表面の台紙のショットキー力の整流器 プラスチックSOD−123パッケージ この装置は大きい区域のmetal−to−silicon力のダイオードとのショットキー障壁の主義を使用します。理想的には小型......

Time : Dec,23,2019
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一般目的の整流器ダイオード1N4007 M7の表面の台紙ガラスは整流器を不動態化しました特徴1.拡散させた接続点2.高い現在の機能および低い前方電圧低下3. 30Aピークへのサージの積み過ぎ評価4.低い逆の漏出流れ 典型的な適用消費者、自動車、およびテレコミュニケーションのための電源、インバータ........

Time : Jun,12,2024
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300W 20A DC-DCの軽減するモジュール一定した現在のLEDの運転者の電源モジュール製品の説明: このプロダクトは改正の損失を減らすために整流器ダイオードを取り替える極端に低いオン州の抵抗の特別な力を使用する新技術である同期改正の技術を使用する。電源の熱自体を減らしなさい。.........

Time : Dec,01,2024
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TO-220Fはダイオードをプラスチック内部に閉じ込めます 特徴超高速35ns回復時間400Vへの高圧機能低い逆の漏出流れ 適用state−of−the−art装置は切換えの電源、インバーターのそして自由な回転ダイオードとして使用のために設計されているシリーズです。SMPSの出力改正の段階、UPS.......

Time : May,30,2024
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ケイ素のエピタキシアル平面のショットキー バリア・ダイオードRB520S-30 これらのショットキー バリア・ダイオードはhigh−speed転換に適用、回路保護、および電圧締め金で止めることのために設計されている。極端に低い前方電圧は伝導の損失を減らす。ミニチュア表面の台紙のパッケー.........

Time : Dec,09,2024
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RB095T-90NZC9ダイオードの配列1組の共通の陰極のショットキー90 V 6Aによ穴 部門 分離した半導体製品 ダイオードの配列 製造業者......

Time : Nov,25,2024
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航空部品MBRA340T3Gショットキーのダイオード及び整流器-前方流れ3 A 航空部品の記述: 大きい区域のmetal−to−silicon力のダイオードのショットキー障壁の主義を用いること。最新式の幾何学は酸化物の不動態化および金属の上敷の接触が付いているエピタキシアル構造.........

Time : Nov,29,2024
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IP55 Rectifer電池との防水ちり止めの屋外力のエンクロージャ IP55 Rectifer電池との防水ちり止めの900×750×1000mm統合された屋外力キャビネットの電源のエンクロージャ 1. 屋外力キャビネットの適用シナリオそして企業 私達の屋外の電気通信.........

Time : Apr,03,2025
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ダイオードのサイリスタの整流器 ダイオードのサイリスタの整流器の記述 多相整流器回路多相AC入力は毎段階のダイオードを使用して調整される。単一フェーズの供給と同じように、これらの整流器は自由(ダイオードだけ)、サイリスタを使用して半制御または十分に制御されてであ.........

Time : Sep,21,2023
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極性保護用途向けコモンカソード構造ショットキーダイオード MBR10200.pdf ショットキーダイオードは、貴金属(金、銀、アルミニウム、白金など)Aを正極、N型半導体Bを負極とし、その表面にポテンシャル障壁を形成した金属半導体素子です。両者の接触面は整流特性を持っています。N型半導体には電子が.......

Time : Dec,10,2024
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整流器ダイオードM1 M4 M7 SS12 SS14 SS16 SS24 SS34 SS36 SS110 SS210 SS210 US1M RS2M ES1D DO-214ACショットキーのダイオード SS32 -S310記述 SS32 −S310シリーズは高い−efficiency、低い.........

Time : May,30,2024
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IXYSのサイリスタのダイオード モジュールMDD44-16N1Bの高い発電IGBTモジュール 電子部品の分離した半導体モジュール段階の足 特徴/利点 陶磁器DCBが付いているパッケージ 改善された温度および力の循環 平面の不動態化された破片 非常に低く前方電圧低下 非常に.........

Time : May,30,2024
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