MBR120VLSFT1G 20V 1Aショットキーのダイオード整流器の高い現在のショットキー ダイオード

MBR120VLSFT1Gの一般目的の整流器ダイオードのダイオードのショットキー20V 1A表面の台紙
 
 
表面の台紙のショットキー力の整流器
プラスチックSOD−123パッケージ
この装置は大きい区域のmetal−to−silicon力のダイオードとのショットキー障壁の主義を使用します。理想的には小型および重量がシステムに重大である表面の台紙の塗布の自由に回転および極性の保護ダイオードとして低電圧に、高周波改正または適されて。このパッケージはまた無鉛の34個のパッケージ様式に代わりを使用すること容易の提供します。小型のために、それは細胞およびコードレス フォン、充電器、ノート パソコン、プリンター、PDAsおよびPCMCIAカードのような携帯用および電池式プロダクトの使用にとって理想的です。典型的な適用は多数の供給電圧および性能およびサイズが重大の他のどの適用のもAC−DCおよびDC−DCのコンバーター、逆電池の保護および「Oリング」です。
特徴
 
•圧力の保護のためのGuardring
•非常に低い前方電圧のために最大限に活用される
•125°C作動の接合部温度
•エポキシはUL 94 V−0 @ 0.125にinに会います
•最適の自動化された板アセンブリのために設計されているパッケージ
•ESDの評価:機械モデル、C;人体モデル、3B
•独特な場所および制御変化の条件を要求する自動車および他の適用のためのNRVBの接頭辞;修飾される可能なAEC−Q101およびPPAP
•これらの装置はPb−Freeです、ハロゲンFree/BFRは迎合的なRoHS放し、です
機械特徴
 
•巻き枠の選択:MBR120VLSFT1G = 7つの″ reel/8 mmテープごとの3,000 MBR120VLSFT3G = 13の″ reel/8 mmテープごとの10,000
•装置印が付いていること:L2V
•極性のデジグネーター:陰極バンド
•重量:11.7のmg （およそ）
•場合:形成されるエポキシ
•終わり:すべての外面は防蝕浮上し、末端の鉛は容易にSolderableです
•はんだ付けする目的のための鉛および土台の表面温度:最高260°C。10秒のため
•装置はMSL 1の条件を満たします
 
 

 
 
 

 
 
デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
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