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パワートランジスタ pdf

1 - 20 の結果 パワートランジスタ pdf から 120 製品

スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........

Time : Jun,12,2024
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IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターNチャネルMOSFET 40V 60V OptiMOS T2のパワー トランジスター 特徴 •二重N-channelの論理のレベル-強化モード •AEC Q101は修飾した •260°Cピークの退潮までのMSL1 •175.........

Time : Dec,09,2024
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電気オートバイ18のmosfets 35Aのコントローラー48-96vの工場のための輸入された力トランジスターは指示します 私達のコントローラーの指定 演劇をよくするためにはコントローラーの性能およびプロダクト安定性は、私達のコントローラーの使用すべて力トランジスターを輸入しました。 .........

Time : Sep,14,2026
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ガリウム ニトリド 50V 16W DC-6GHzRF パワー トランジスタ 記述 について STAV58016P2 は a は 16 ワット 匹敵しない GaN HEMT 理想的なについて 一般的な用途に 6GHzで特徴は高い 幅広く バンド そして 低い 費用 中 4*4.5mmDFNプラスチッ......

Time : Dec,10,2024
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NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI BQ26100DRPR ECADモジュール PCBの足跡か記号を造るか、または要求しなさい 需要と供給の状態 バランス 公開市場の擬似脅威.........

Time : May,29,2024
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特徴: それは同じような形の管包まれた力トランジスター、audionsおよび他の電子部品の形成のために適しています。*Itsの速度はsteplessly調節することができます。 作動し、維持することは容易です。 型はサイズのための顧客の.........

Time : Sep,14,2026
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S8550 SOT-89 0.5A PNPのケイ素のエピタキシアル平面トランジスター S8550 SOT-89 0.5A SMDのトランジスターPNPケイ素のエピタキシアル平面トランジスター S8550 SOT-89 Datasheet.pdf 特徴.........

Time : Dec,04,2024
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製品説明: 超帯1000-2000MHz 47dBm ゲイン RF パワーアンプ モジュールは,様々な信号源アプリケーションの要求に応えるように設計されています.複数の周波数帯をサポートする1000MHz以上帯域幅 このアンプは高電源トランジスタ回路を搭載し 最大出力50Wを供給し プロジェ.........

Time : Oct,25,2026
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機械、機械を形作るトランジスター鉛を形作るC 309Aの構成の鉛 機械を形作るC-309Aのトランジスター鉛 特徴 それは同じような形の管包まれた力トランジスター、audionsおよび他の電子部品の形成のために適しています。 その速度はsteplessly調節することがで.........

Time : Oct,24,2026
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SOT-323 3904W /3906W NPNとPNP シリコン 特徴 - このトランジスタは,一般的な用途のアンプアプリケーションのために設計されています. 低出力表面マウント用用に設計されたSOT323/SC70で - Pbフリーパッケージが用意されています. 一般目的のアンプトラ.........

Time : Nov,19,2024
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製品の説明 LGKシリーズ インバーター タイプ空気血しょう打抜き機は、金属のプロセス用機器の新しい設計、絶縁されたゲートの最高である力トランジスターがIGBTおよびパルス幅変調(PWM)の柔らかい転換の技術は設計し、製造するのに使用されている。打抜き機は.........

Time : Dec,09,2024
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デジタル トランジスターLdoの電圧安定器PCBの電源コネクタDc Dcスイッチ・コントローラ 包装PCBの部品 包まれた井戸がサーキット ボードに容易な処理およびアセンブリを可能にする場合のPCBの部品。よい包装はまた損傷から装置を保護する。 一部が次元および許容を標準化し.........

Time : Jul,29,2025
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SVF840FはAの500V N-Channel電界効果トランジスタを高めた 1.description SVF840F/D/S/MJのN-channelの強化モード高圧力MOSの電界効果トランジスタはSilanのマイクロエレクトロニクスのF-CellTMの平面の高圧VDMOS加工技術を使用して........

Time : May,29,2024
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製品の説明 Lastestは非IGBTを絶縁したゲートの両極トランジスター力モジュールTCAN1042GDQ1を隔離した IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI TCAN1042GDQ1 議定書.........

Time : Dec,09,2024
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BCX54-10-QX andnbsp; 1. 概要 andnbsp;SOT89 (SC-62) フラットリード表面実装デバイス (SMD) プラスチックパッケージの NPN 中電力トランジスタ。 2. 特長と利点 andbull; 高コレクタ電流能力 IC および ICM andbul.........

Time : Oct,20,2026
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製品説明: 私たちの特許と技術により 溶融システムのインダクションオーブンの電源ユニットは この業界をリードしています 主にインダクションオーブンのための三重電圧のタイリスターKGPS電源を含む.サーイストール連結式共鳴型中周波電源とIGBT二電池トランジスタ中周波電源などほら すべてのイン.........

Time : Jun,18,2026
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新しいOMRON CV500-PS221の電源CV500シリーズIP30ねじ込み端子 CV500-PS221の指定 記述 CV500-PS221はOmronによって作り出される電源の単位である タイプ 電源の.........

Time : Aug,14,2025
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高い発電の導かれた脱熱器はトランジスターのためのヒート パイプ脱熱器が付いているアルミニウム ジッパーのひれ脱熱器をカスタマイズした 短い細部: 製品タイプ:脱熱器 表面処理:銀は陽極酸化する 保証(年):2年。 プロセス:放出 IP65を評価するIP Cetificatio.........

Time : Sep,15,2026
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