高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ 記述 JY213Hは,3つの独立した高低サイド参照を持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバーです 3相ゲートドライバの出力チャネル. UVLO回路は,VCCとVBSが指定された値を下回るときに不具.........
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MIC5021YM-TRのマイクロチップ ゲートの運転者の高速高いサイドMOSFETの運転者SOIC-8 MIC5021YM MIC5021YN 製造業者:マイクロチップ製品タイプ:ドアの運転者プロダクト:MOSFETのゲートの運転者タイプ:高側設置様式:SMD/SMTパッケージ.........
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IRLR2905TRPBF TO-252パワーMOSFETトランジスタ集積回路チップICエレクトロニクス IRLR2905TRPBF ±15kV ESD保護、+ 3V〜+ 5.5V、1μA、250kbps、RS-232トランスミッタ/レシーバ ロジックレベルゲートドライブ 超低オン抵.........
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統合回路チップ DRV8244SQRYJRQ1 ハーフブリッジ パワー MOSFET モータードライバー [MJD利点 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!! [.........
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ISO5852SDW IC電子部品 隔離されたIGBT MOSFETゲートドライバ 製品説明 格付け値を超えた −40°Cから+105°Cの温度 部品番号ISO5852SDW製造されたものTI電子製品の主要販売業者の一つとして,私たちは世界のトップメーカーから多くの電子部品を運んでい.........
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ゲートの運転者A4989SLDTR-Tの電子部品ICは集積回路を欠く 製品の説明 部品番号# A4989SLDTR-TはAllegro技術によって製造され、Jalixinによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。........
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1 製品の説明 項目...
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キャビネット用電源用超高電圧MOSFET 応用技術 MOSFET 製品説明: 高電圧MOSFETは,LEDドライバー,アダプター,工業スイッチング電源,スマートメーター,キャビネット電源,インバーターと電源システム低漏れ特性があり,1 μ A未満に達し,高電圧または超高電圧まで,電圧評価で優れた........
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シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている: 半導体マイクロコントローラートランジスタダイオード.......
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高速スイッチング 高出力 MOSFET Nチャネル 安定型 モータードライバー 特徴 • 速やかに 切り替える • 低 ON 抵抗 • 低ゲート 料金 • 100% シングルパルス 雪崩エネルギーテスト 応用 • アダプターと充電器の電源スイッチ回路 Nチャネル強化モード電源MOSF.........
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TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICPMIC TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICTC4426EOA713 TC4426EOA713仕様: 部品番号 ......
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TC4427EPAの低側のゲートの運転者IC非逆になる8-PDIP ICの電子部品 概説: TC4426/TC4427/TC4428はMOSFETの運転者のより早いTC426/TC427/TC428系列の改善された版です。TC4426/TC4427/TC4428装置はMOSFETのゲートを満たし、排......
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FAN73611MX ゲートドライバー 高速ゲートドライバー 製品属性 属性値 製造者: 一半 製品カテゴリー: ゲートドライバー RoHS について 詳細 製品: IGBT,MOSFETゲートドライバー タイプ: ハイサイド マウントスタイル: SMD/SMT.........
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記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロ........
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JY213Lの3つの独立した出力チャネルが付いている力MOSFETおよびIGBT装置のための高速ゲートの運転者記述JY213Lは力MOSFETおよびIGBT装置のために合う高速3-phaseゲートの運転者である。この高度の運転者は3つの独立した出力チャネルを、特色にし高低の側面は参照し、最適制御を保......
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IRS2181STRPBF半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC記述IRS2181/IRS21814は独立した高側および低側の参照された出力チャネルが付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を......
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高速IX4424NTR IX4424Nのゲートの運転者の導入IX4424NTR IX4424Nの有効な、信頼できる二重MOSFET DRVR Bitmainの電源の取り替えを達成しなさい 高速IX4424NTR IX4424Nのゲートの運転者、完全なBitmain APW7のための取り替え、.........
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製品範囲 ICが運転者をゲートで制御する力管理IC集積回路はIC IR IR2110PBFを欠く emiconductors 力管理IC ゲートの運転者 インフィニオン・テクノロジーズIR2110PBF ゲートの運転者Hi&Lw Sd Drvr HiVltすべてのピン1つの.........
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ISO5452QDWRQ1 記述: 隔離されたゲートの運転者2.5-A/5-A IsoIGBT MOSFETのゲートの運転者 製品特質 属性値 製造業者: テキサス・インスツルメント 製品カテゴリ: 隔離.........
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Infineon MOSFET N CH 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3,600V CoolMOS™ C3はInfineonの第3一連の600V CoolMOS™ C3のためのCoolMOS™の取り替えであるCoolMOS™ P7 600V CoolMOS™ C3であ......
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