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電源増幅器トランジスタ

1 - 20 の結果 電源増幅器トランジスタ から 839 製品

工場供給 100% 新品 PA 28V DC-8.5GHz 12W GaN RFアンプトランジスタ InnotionのYP801241Tは、12ワットのプリマッチド窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、高効率、高ゲイン、広帯域の機能を備え、周波数は最大8500MHzまで.........

Time : Apr,10,2026
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2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF...

Time : Sep,11,2023
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電力増幅器のトランジスターのためのひれ脱熱器アルミニウム プロフィールFiit Heatstick 細部: 1. 脱熱器は良質アルミニウム、よい熱伝導性の作った。 2. サイズ:20x6mm、30x9mm 3. このアルミニウム脱熱器はハードウェア障害の危険およびのより多くの安全に過熱.........

Time : Nov,24,2024
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AD8361ARMZ-REEL7 RF力トランジスター高性能の低雑音の50オーム入出力インピーダンス プロダクト リスト: AD8361ARMZ-REEL7 RF力トランジスター 製品タイプ:RF力トランジスター パッケージのタイプ:巻き枠 トランジスターの数:7 構成:片端接地.........

Time : Nov,30,2024
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製品の説明プロダクト細部 包装管 部分の状態活動的 トランジスター タイプPNP 現在-コレクター((最高) IC)16A 電圧-コレクターのエミッターの故障(最高)250V Vceの飽和(最高) @ Ib、IC4V @ 3.2A、16A 現在-コレクターの締切り(最高)100µA DCの現在の........

Time : Dec,02,2024
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製品の説明 製品タイプ: オーディオパワーアンプペアリングチューブ 型番: 2SA1943-O 2SC5200-O シリーズ: 2SC ベンダー: 東芝 パッケージ: TO-3P スタイルをインストール: ス.........

Time : Aug,18,2025
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AOD42420V NチャネルMOSFET 概説 AOD424コンバインの高度の堀MOSFET提供するべき低い抵抗のパッケージとの技術極端に低いR DS ()。この装置は負荷スイッチにとって理想的ですそして電池の保護適用。 変数 部.........

Time : May,30,2024
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製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

Time : Jun,22,2025
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指定新しく、元の各パート3速いdelicery 4の1つの競争価格2の保証...

Time : Mar,10,2022
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東芝力トランジスター(MA-4400)が付いている3U 4 X 400W ABのクラスの電力増幅器 速い細部: Atopt大きい東芝のトランジスター、非常に完全な音 有効な冷却装置は、電力増幅器の安定性を保障します 古典的なプロダクト、良質 MAシリーズ電力増幅器 驚くべき性.........

Time : May,30,2024
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演算増幅器力Mosfetのトランジスター/一般目的mosfet LM741H、500 MW 概説 LM741シリーズはLM709のような業界標準上の改善された性能を特色にする一般目的の演算増幅器です。それらは709Cのための直接の、差込式の取り替え、ほとんどの適用のLM201、MC1439.........

Time : May,30,2024
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2SC5171東芝のトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ電力増幅器の塗布 特徴 •高い転移の頻度:fT = 200のMHz (タイプ。) •2SA1930に補足 電気特徴(Tc = 25°C).........

Time : Dec,04,2024
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2 X 1200WプロパワーアンプからT12 黒 クラスA 記述 1バイアス:A級アンプの出力トランジスタまたはチューブは,入力信号がないときでも常に導電しているようにバイアスしている.入力信号を増幅するために常に準備ができていることを保証. 2線形性:A級アンプは優れた線形性で知られて.........

Time : Dec,09,2024
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OEMの高い発電のJfetのトランジスター、Npnのトランジスター アンプ650V 力のJfetのトランジスター特徴 高い入力インピーダンスおよび低レベル ドライブ テストされるなだれエネルギー 改善されたdv/dtの機能、高い険しさ 低いゲート充満 低いRdson.........

Time : Mar,28,2026
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製品説明: 超帯1000-2000MHz 47dBm ゲイン RF パワーアンプ モジュールは,様々な信号源アプリケーションの要求に応えるように設計されています.複数の周波数帯をサポートする1000MHz以上帯域幅 このアンプは高電源トランジスタ回路を搭載し 最大出力50Wを供給し プロジェ.........

Time : Apr,12,2026
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RD100HHF1 MOSFETのタイプ トランジスターはHFの高い発電のアンプの塗布のためにとりわけ設計しました 特徴 •高い発電および高利得:Pout>100W、Gp>11.5dB @Vdd=12.5V、f=30MHz •高性能:60%typ.on HFバンド 適用 HFバンド移動式無線送受信機......

Time : Nov,03,2023
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