photodiode reverse bias

製品説明: G365T01L ブロードバンド UVA+UVB+UVC フォトダイオードUV LEDモニタリング 特徴 申請 仕様 パラメーター シンボル 価値 ユニット スペクトル特性 (25 oC) ピーク応答性の波長 λmax 355 nm 最大応答性 (355nm) Rm.........

658nmフォトダイオードPD TO-18のパッケージの焼却の小型半導体レーザー 速い細部 適用:レーザーの距離計、共焦点の顕微鏡 原産地:中国 銘柄:XINLAND タイプ:半導体レーザー パッケージのタイプ:表面の台紙 最高。前方電圧:- 最高。逆電圧:- 最高。前.........

SS1133-14 SS1133-01HAMAMATSU光電センサー低暗電流赤外線セラミックパッケージフォトダイオード アクティブエリアサイズ 2.4X2.8 有効アクティブエリア 6.6 逆電圧vrmax 1.........

LC TOSA 1550nm EML 10G SONET SDH Datatelecom 絶対最高評価 （通知がなければTc=25±3℃、） 変数 記号 Min. タイプ 最高。 単位 保管温度 Tstg -40 --- 85 ℃ 作動の場合温度 上 0 --- 70 ℃ 逆電圧（LD） VRL -......

1200V 175A単一のIGBTs IXYH55N120A4の分離した半導体のトランジスター IXYH55N120A4の製品の説明 IXYH55N120A4に正方形の逆バイアスの安全運転区域およびそれらを揺れ止めなしのハード切換えの適用にとって理想的にさせる650V絶縁破壊電圧がある。.........

PMEG4005ESFYL 製品の機能 低いオフセットの電圧:65のμVの最高低い入力バイアス流れ:1 pAの最高の低雑音:8 nV/√Hzの広い帯域幅:高いオープン・ループ利益10のMHzの:1000 V/mVの単一性の利益安定した単一供給操作:2.7単一のためのVから5.5ボルトの5ボ.........

HCPL2531論理ICはオプトカプラーを、2-E onsemi出力した プロダクト細部 記述HCPL4502、HCPL2503、6N135、6N136、HCPL2530およびHCPL2531オプトカプラーは光学的に高速フォトディテクターのトランジスターにつながれるAlGa.........

AD8646ARMZの一般目的のアンプ2回路の柵に柵8-MSOP 適用 電池式の器械 Multipoleフィルター ADCの前部分 センサー バーコードの走査器 ASICの入力または出力アンプ オーディオ・アンプ フォトダイオード アンプ Datapath/mux/switch制.........

UNIFIBERは3つのセクションからトランシーバー成っています:冷却されたDFBレーザーの送信機、TRANSインピーダンス前置増幅器（TIA）によって統合されるAPDフォトダイオード。すべてのモジュールはクラスIのレーザーの安全の条件を満たします。UNIFIBER DWDM SFPのトランシーバー......

IXGA20N250HV IGBT 2500 V 30 A 150 Wの表面の台紙TO-263HVIXYS IXGA20N250HV高圧IGBTIXYS IXGA20N250HV高圧IGBT （絶縁されたゲートの両極トランジスター）は正方形の逆バイアスの安全運転区域（RBSOA）および10µs短........

LPJG0801GENLの十字MIC38013-0155T-LF3 10 Pin Rj45のコネクター ギガビットのイーサネット 10/100/1000の基盤Tの単一の港Rj45タブの塗布 1X1、INT。MAG.、LEDの逆の掛け金 MIC38013-0155T-LF3ギガビットR.........